[發(fā)明專利]封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810469635.4 | 申請日： | 2018-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN110310928B | 公開（公告）日： | 2022-11-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林平平 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺達(dá)電子國際（新加坡）私人有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 新加坡*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 封裝 方法 | ||
1.一種封裝方法，包含步驟：
提供一第一載體；
形成一第一熱剝離材料于該第一載體上；
提供至少一電子元件及至少一導(dǎo)熱部件貼附于該第一熱剝離材料上，其中該至少一電子元件包含至少一導(dǎo)接端；
形成一第一絕緣層于該電子元件的一第一表面以及該導(dǎo)熱部件的一第一表面上；
移除該第一載體及該第一熱剝離材料；
提供一第二載體；
形成一第二熱剝離材料于該第二載體上；
將偕同該電子元件及該導(dǎo)熱部件的該第一絕緣層貼附于該第二熱剝離材料；
研磨部分的該電子元件的一第二表面、部分的該導(dǎo)熱部件的一第二表面以及部分的該第一絕緣層的至少之一；
形成一第二絕緣層于該電子元件的該第二表面及該導(dǎo)熱部件的該第二表面上；
移除該第二載體及該第二熱剝離材料；
形成多個(gè)第一開孔于該第一絕緣層上；
經(jīng)由對應(yīng)的該多個(gè)第一開孔形成多個(gè)第二開孔，其中該導(dǎo)接端及該導(dǎo)熱部件的該第一表面經(jīng)由該多個(gè)第二開孔而暴露；
經(jīng)由該多個(gè)第二開孔形成一第一金屬層，該第一金屬層設(shè)置于該導(dǎo)接端及該導(dǎo)熱部件的該第一表面上；
形成多個(gè)第三開孔于該第二絕緣層上；
經(jīng)由該多個(gè)第三開孔形成多個(gè)第四開孔，其中該導(dǎo)熱部件的該第二表面經(jīng)由該第四開孔而暴露；
形成一第二金屬層于該多個(gè)第四開孔中，該第二金屬層設(shè)置于該導(dǎo)熱部件的該第二表面上；
研磨部分的該第一金屬層以形成至少一第一導(dǎo)接墊及至少一第二導(dǎo)接墊；以及
研磨部分的該第二金屬層以形成至少一第三導(dǎo)接墊，其中該至少一第一導(dǎo)接墊相對且相接觸于該電子元件的該導(dǎo)接端，該至少一第二導(dǎo)接墊相對且相接觸于該導(dǎo)熱部件的該第一表面，以及該至少一第三導(dǎo)接墊相對且相接觸于該導(dǎo)熱部件的該第二表面。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中該封裝方法還包含步驟：
形成一第一保護(hù)層于至少部分的該至少一第一導(dǎo)接墊及部分的該至少一第二導(dǎo)接墊上；以及
形成一第二保護(hù)層于部分的該至少一第三導(dǎo)接墊上，其中暴露出未被該第一保護(hù)層覆蓋的部分的該至少一第二導(dǎo)接墊，且暴露出未被該第二保護(hù)層覆蓋的部分的該至少一第三導(dǎo)接墊。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝方法，其中該封裝方法還包含步驟：提供一被動元件并設(shè)置于該第一保護(hù)層上，其中部分的該被動元件耦接于該至少一第二導(dǎo)接墊。
4.如權(quán)利要求2所述的封裝方法，其中該封裝方法還包含步驟：提供一電路板于該第二保護(hù)層上，其中該電路板與該至少一第三導(dǎo)接墊相耦接。
5.如權(quán)利要求2所述的封裝方法，其中該第一保護(hù)層及該第二保護(hù)層的至少之一包含一樹脂、一絕緣材或其結(jié)合物。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中該第一絕緣層及該第二絕緣層的至少之一包含一樹脂、一Ajinomoto絕緣增層膜或其結(jié)合物。
7.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中該至少一電子元件的該至少一導(dǎo)接端設(shè)置于該至少一電子元件的該第一表面。
8.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中該封裝方法提供多個(gè)導(dǎo)熱部件，其中該至少一電子元件設(shè)置于該多個(gè)導(dǎo)熱部件之間或被該多個(gè)導(dǎo)熱部件所圍繞。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝方法，其中該封裝方法提供多個(gè)電子元件，其中該多個(gè)電子元件設(shè)置于該多個(gè)導(dǎo)熱部件之間。
10.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中該電子元件被研磨至一特定厚度，其中該電子元件的該特定厚度小于或等于50μm。
11.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中該第一金屬層及該第二金屬層的至少之一由銅或含銅材料制成。
12.如權(quán)利要求1所述的封裝方法，其中該多個(gè)第一開孔、該多個(gè)第二開孔、該多個(gè)第三開孔及該多個(gè)第四開孔的至少之一由鉆孔工藝所形成。
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