[發明專利]晶圓彎曲度的確定方法以及掃描設備有效
| 申請號: | 201810469620.8 | 申請日: | 2018-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN108666229B | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發明(設計)人: | 張杰真;劉命江;黃仁德 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67;G01B11/24;G01B17/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 武振華;吳敏 |
| 地址: | 223302 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彎曲 確定 方法 以及 掃描 設備 | ||
1.一種晶圓彎曲度的確定方法,其特征在于,包括:
確定晶圓基座的表面與水平面之間的水平夾角;
提供晶圓,將所述晶圓設置于所述晶圓基座的表面;
測量所述晶圓的中心點至預設測量平面的距離,記為第一距離,所述預設測量平面平行于水平面;
測量所述晶圓的邊緣點至所述預設測量平面的距離,記為第二距離,所述邊緣點位于所述晶圓的邊緣;
根據所述第一距離、第二距離以及所述水平夾角,確定所述晶圓彎曲度;其中,根據所述第一距離、第二距離以及所述水平夾角,確定所述晶圓彎曲度包括:
確定所述晶圓的中心點與邊緣點分別在所述預設測量平面的投影之間的距離,記為移動距離;
根據所述第一距離、第二距離以及所述移動距離,確定從所述晶圓的中心點至所述晶圓的邊緣點的連線與豎直方向的豎直夾角;
根據所述豎直夾角、水平夾角以及所述晶圓的半徑,確定當所述晶圓基座的表面平行于水平面時,所述晶圓的邊緣點與所述晶圓的中心點的高度差;
根據所述高度差,以及所述晶圓的厚度,確定所述晶圓彎曲度。
2.根據權利要求1所述的晶圓彎曲度的確定方法,其特征在于,采用以下公式,確定從所述晶圓的中心點至所述晶圓的邊緣點的連線與豎直方向的豎直夾角:
tanλ=(m-h)/d;
∠β=∠λ+90°;
其中,β用于表示所述豎直夾角且為鈍角,m用于表示所述第一距離,h用于表示所述第二距離,d用于表示所述移動距離,λ用于表示從所述晶圓的中心點至所述晶圓的邊緣點的連線與水平方向的夾角且為銳角。
3.根據權利要求1所述的晶圓彎曲度的確定方法,其特征在于,采用以下公式,確定當所述晶圓基座的表面平行于水平面時,所述晶圓的邊緣點與所述晶圓的中心點的高度差:
∠γ=360°-90°-(90°-1/2×∠α)-∠β;
L=2Rsinα×sinγ;
其中,L用于表示當所述晶圓基座的表面繞中心點旋轉至平行于水平面時,所述晶圓的邊緣點的移動位移在豎直方向上的高度差,γ用于表示當所述晶圓基座的表面繞中心點旋轉至平行于水平面時,所述晶圓的邊緣點的移動位移的方向與水平方向的夾角,R用于表示所述晶圓的半徑,α用于表示所述水平夾角且為銳角,β用于表示所述豎直夾角且為鈍角。
4.根據權利要求1所述的晶圓彎曲度的確定方法,其特征在于,采用以下公式,確定所述晶圓彎曲度:
BOW=m-h-L+1/2×T;
其中,BOW用于表示所述晶圓彎曲度,m用于表示所述第一距離,h用于表示所述第二距離,L用于表示當所述晶圓基座的表面繞中心點旋轉至平行于水平面時,所述晶圓的邊緣點的移動位移在豎直方向上的高度差,T用于表示所述晶圓的厚度。
5.根據權利要求1所述的晶圓彎曲度的確定方法,其特征在于,確定晶圓基座的表面與水平面之間的水平夾角包括:
測量所述晶圓基座表面的N個點至預設基座測量平面的距離,其中,N≥3,且N為正整數,所述預設基座測量平面平行于水平面;
根據所述預設基座測量平面至所述晶圓基座表面的N個點的距離,確定所述晶圓基座的表面;
確定所述晶圓基座的表面與水平面之間的水平夾角。
6.根據權利要求5所述的晶圓彎曲度的確定方法,其特征在于,采用第二測量探頭測量所述晶圓基座表面的N個點至預設基座測量平面的距離,所述第二測量探頭為超聲波掃描探頭或激光掃描探頭。
7.根據權利要求1所述的晶圓彎曲度的確定方法,其特征在于,采用第一測量探頭測量所述第一距離與第二距離,所述第一測量探頭為超聲波掃描探頭或激光掃描探頭。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





