[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810467925.5
• 申請(qǐng)日: 2018-05-16
• 公開（公告）號(hào): CN109309090B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳智偉;林恒光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/092
• 分類號(hào): H01L27/092;H01L21/8252
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊;王濤

1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括：

第一堆疊結(jié)構(gòu)，配置于基底上，所述第一堆疊結(jié)構(gòu)包括：

第一GaN通道層，配置于所述基底上，具有氮結(jié)晶相；以及

第一阻擋層，配置于所述第一GaN通道層上；

第二堆疊結(jié)構(gòu)，配置于所述基底上，所述第二堆疊結(jié)構(gòu)包括：

第二GaN通道層，配置于所述基底上，具有鎵結(jié)晶相；以及

第二阻擋層，配置于所述第二GaN通道層上；

隔離層，配置于所述第一堆疊結(jié)構(gòu)與所述第二堆疊結(jié)構(gòu)之間，且所述隔離層將所述第一堆疊結(jié)構(gòu)及所述第二堆疊結(jié)構(gòu)完全隔開；以及

柵極，配置于所述第一堆疊結(jié)構(gòu)、所述隔離層與所述第二堆疊結(jié)構(gòu)上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述第一GaN通道層的厚度與所述第二GaN通道層的厚度實(shí)質(zhì)上相同，且所述第一阻擋層的厚度與所述第二阻擋層的厚度實(shí)質(zhì)上相同。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，更包括第一保護(hù)層與第二保護(hù)層，其中所述第一保護(hù)層配置于所述第一阻擋層上，且所述第二保護(hù)層配置于所述第二阻擋層上。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，更包括第一緩沖層與第二緩沖層，其中所述第一緩沖層配置于所述第一GaN通道層與所述基底之間，且所述第二緩沖層配置于所述第二GaN通道層與所述基底之間。

5.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，包括：

進(jìn)行第一沉積工藝，于基底上形成第一GaN通道層，其中所述第一GaN通道層具有氮結(jié)晶相；

于所述第一GaN通道層上形成第一阻擋層；

移除部分所述第一阻擋層與所述第一GaN通道層，以形成第一堆疊結(jié)構(gòu)；

進(jìn)行第二沉積工藝，于所述基底上形成第二GaN通道層，其中所述第二GaN通道層具有鎵結(jié)晶相；

于所述第二GaN通道層上形成第二阻擋層，以構(gòu)成第二堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第一堆疊結(jié)構(gòu)與所述第二堆疊結(jié)構(gòu)分隔開；

于所述第一堆疊結(jié)構(gòu)與所述第二堆疊結(jié)構(gòu)之間形成隔離層；以及

于所述第一堆疊結(jié)構(gòu)、所述隔離層與所述第二堆疊結(jié)構(gòu)上形成柵極。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述隔離層將所述第一堆疊結(jié)構(gòu)及所述第二堆疊結(jié)構(gòu)完全隔開。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述第一沉積工藝與所述第二沉積工藝不同。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述第一GaN通道層的厚度與所述第二GaN通道層的厚度實(shí)質(zhì)上相同，且所述第一阻擋層的厚度與所述第二阻擋層的厚度實(shí)質(zhì)上相同。

9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一阻擋層之后以及在移除部分所述第一阻擋層與所述第一GaN通道層之前，更包括于所述第一阻擋層上形成第一保護(hù)層，且在形成所述第二阻擋層之后以及在形成所述隔離層之前，更包括于所述第二阻擋層上形成第二保護(hù)層。

10.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行所述第一沉積工藝之前，更包括于所述基底上形成第一緩沖層，且在形成所述第一堆疊結(jié)構(gòu)之后以及在進(jìn)行所述第二沉積工藝之前，更包括于所述基底上形成第二緩沖層。

11.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一堆疊結(jié)構(gòu)之后以及在進(jìn)行所述第二沉積工藝之前，更包括于所述基底上形成罩幕層以覆蓋所述第一堆疊結(jié)構(gòu)，且在形成所述第二堆疊結(jié)構(gòu)之后以及形成所述隔離層之前，更包括移除所述罩幕層。