[發(fā)明專利]一種四氯化硅的氫化方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810467385.0 | 申請日: | 2018-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN108439413B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張寶順;宗冰;肖建忠;王體虎;陳聰 | 申請(專利權(quán))人: | 亞洲硅業(yè)(青海)有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/107 | 分類號: | C01B33/107 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 畢翔宇 |
| 地址: | 810000 青海*** | 國省代碼: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 四氯化硅 氫化 負載金屬催化劑 電磁場調(diào)整 多晶硅生產(chǎn) 低溫氫化 氣體放電 電磁場 反應(yīng)器 氫氣 填充 | ||
本發(fā)明提供一種四氯化硅的氫化方法,屬于多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。四氯化硅的氫化方法是向填充有電磁場調(diào)整材料和負載金屬催化劑的氣體放電反應(yīng)器內(nèi)通入四氯化硅和氫氣,在電磁場的作用下反應(yīng)。此方法能夠提高四氯化硅低溫氫化的效率,降低反應(yīng)體系的溫度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種四氯化硅的氫化方法。
背景技術(shù)
多晶硅是光伏產(chǎn)業(yè)和微電子產(chǎn)業(yè)的基石,是重要的工業(yè)材料。目前,改良西門子法是生產(chǎn)多晶硅的主流方法,世界上95%以上的多晶硅通過改良西門子法制備。據(jù)統(tǒng)計,采用改良西門子法生產(chǎn)多晶硅時,每生產(chǎn)1噸多晶硅,便會產(chǎn)生16噸左右的四氯化硅。
四氯化硅熱氫化方法是處理四氯化硅的主要技術(shù),是四氯化硅和氫氣通入熱氫化爐,在1500K左右溫度下反應(yīng)生成三氯氫硅,由于該技術(shù)具有能耗高,四氯化硅轉(zhuǎn)化效率低,單爐處理量少等局限性特點,因此已逐漸被市場淘汰。四氯化硅冷氫化方法是新興的四氯化硅處理技術(shù),是四氯化硅,氫氣和金屬級硅粉通入大型流化床反應(yīng)器,在850K左右溫度下反應(yīng),產(chǎn)物主要有三氯氫硅,二氯二氫硅以及聚氯硅烷,由于反應(yīng)物料中加入了金屬級硅粉,增大了反應(yīng)時的雜質(zhì)基數(shù),因此反應(yīng)產(chǎn)物中存在含C、B、P等影響多晶硅品質(zhì)的雜質(zhì),含此類雜質(zhì)的化合物物理性質(zhì)與主要產(chǎn)物三氯氫硅或主要原料氫氣相近,故較難從系統(tǒng)中除去,在系統(tǒng)循環(huán)時,會引起產(chǎn)品質(zhì)量的波動。
在高溫下設(shè)備中的低沸點物質(zhì)很容易揮發(fā),從而對反應(yīng)物料造成污染,最終影響產(chǎn)品質(zhì)量。四氯化硅熱氫化技術(shù)和四氯化硅冷氫化技術(shù)的反應(yīng)溫度均超過800K,在該溫度下,反應(yīng)器爐壁和反應(yīng)器內(nèi)件會發(fā)生揮發(fā)出B、P等雜質(zhì),繼而污染物料,降低物料純度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種四氯化硅的氫化方法,能夠提高四氯化硅低溫氫化的效率,降低反應(yīng)體系的溫度。
本發(fā)明是采用以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
一種四氯化硅的氫化方法,向填充有電磁場調(diào)整材料和負載金屬催化劑的氣體放電反應(yīng)器內(nèi)通入四氯化硅和氫氣,在電磁場的作用下反應(yīng)。
進一步地,本發(fā)明較佳的實施例中,上述負載金屬催化劑包括金屬和載體。
進一步地,本發(fā)明較佳的實施例中,上述金屬選自Cu、Fe、Si、Al、Pt、Ag和Au中的一種;
優(yōu)選地,金屬為Cu。
進一步地,本發(fā)明較佳的實施例中,上述載體選自SiO2、Al2O3、TiO2、硅鋁酸鹽和活性炭中的一種;
優(yōu)選地,載體為SiO2。
進一步地,本發(fā)明較佳的實施例中,上述電磁場調(diào)整材料為鐵電材料。
進一步地,本發(fā)明較佳的實施例中,上述鐵電材料選自BaTiO3、KTaO3、LiNbO3、PZT、PLZT和Cd2Nb2O7中的一種。
進一步地,本發(fā)明較佳的實施例中,上述負載金屬催化劑與電磁場調(diào)整材料的體積比為20:1-6:1。
進一步地,本發(fā)明較佳的實施例中,上述放電反應(yīng)器為介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器或滑動弧放電反應(yīng)器。
進一步地,本發(fā)明較佳的實施例中,上述放電反應(yīng)器為介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器;
優(yōu)選地,放電反應(yīng)器為雙層介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器。
進一步地,本發(fā)明較佳的實施例中,上述氫氣和四氯化硅的摩爾比為5:1-25:1。
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