[發明專利]一種芯片加工方法

有效

• 申請號: 201810467019.5
• 申請日: 2018-05-16
• 公開（公告）號: CN108598023B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 施錦源;汪玉潔;張云鶴
• 申請（專利權）人: 深圳市信展通電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01J37/32
• 代理公司: 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 譚雪婷;彭西洋

本發明屬于半導體工藝技術領域，具體的說是一種芯片加工方法，該方法采用的刻蝕裝置包括移動模塊、固定板、震動單元、除塵模塊、卡緊件和控制器，移動模塊通過固定桿固定安裝在封閉倉的底板上；固定板通過震動單元固定安裝在除塵模塊的頂表面；移動模塊用于對晶圓進行移位；固定板上固定安裝有金屬吸盤，金屬吸盤用于對晶圓的底表面進行固定；除塵模塊用于對晶圓表面的雜質進行清理；卡緊件用于對除塵模塊進行限位；本發明主要用于對晶圓進行刻蝕,能夠提高晶圓的刻蝕精度，能夠對晶圓中被夾持部件遮擋的部位進行刻蝕；提高了晶圓的刻蝕效率。

技術領域

本發明屬于半導體工藝技術領域，具體的說是一種芯片加工方法。

背景技術

半導體芯片，在半導體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現某種功能的半導體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵，鍺等半導體材料。半導體芯片生產過程中，刻蝕工藝的過程為對所需刻蝕材料進行曝光顯影然后等離子體刻蝕。其中等離子體刻蝕步驟中，是利用Al、Si等刻蝕材料的反應產物，例如AlCl3、SiF4等的揮發特性實現的。傳統的刻蝕工藝中對晶圓夾持固定時，會造成晶圓被遮擋的表面無法刻蝕，同時晶圓刻蝕后殘留的雜質難以及時去除，導致晶圓表面不整潔，同時對晶圓后續的濺射鍍膜工藝造成影響。

現有技術中也出現了一種刻蝕裝置的技術方案，如申請號為201410356255.1的一項中國專利公開了一種刻蝕裝置及刻蝕方法。其中刻蝕裝置包括：反應腔；晶圓固定裝置，晶圓固定裝置用于將晶圓固定在反應腔的頂部且晶圓的待刻蝕面朝向反應腔的底部；氣體注入口，氣體注入口設置在反應腔底部，用于向反應腔通入刻蝕氣體；激勵線圈，激勵線圈環繞反應腔設置，用于將刻蝕氣體激發成等離子體；以及偏壓提供裝置，偏壓提供裝置與晶圓固定裝置相連，用于對晶圓固定裝置中的晶圓施加偏壓。該技術方案雖然能夠對晶圓表面進行刻蝕，能夠將刻蝕后的雜質抽離；但是該技術方案不能夠對晶圓夾持遮擋的部位進行刻蝕；同時該技術方案中晶圓不便于固定，影響了晶圓刻蝕精度；使得該發明受到了限制。

發明內容

為了彌補現有技術的不足，本發明提出了一種芯片加工方法，本發明主要用于對晶圓進行刻蝕,能夠提高晶圓的刻蝕精度，能夠對晶圓中被夾持部件遮擋的部位進行刻蝕；本發明采用的刻蝕裝置中，通過移動模塊與固定板配合來對晶圓進行固定，通過震動單元和除塵模塊配合來對晶圓表面的雜質進行抽離；提高了晶圓的刻蝕效率。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：本發明提出了一種芯片加工方法，該方法包括如下步驟：

步驟一：將硅溶液中的單晶硅棒切割成晶圓；

步驟二：將步驟一中的晶圓表面涂敷光刻膠；

步驟三：對經過步驟二處理后的晶圓進行光刻膠顯影；

步驟四：將步驟三處理后的晶圓放入到刻蝕裝置中進行刻蝕；

步驟五：將步驟四處理后的晶圓送入到離子注入機進行離子注入；

步驟六：將步驟五中的晶圓送入化學氣相沉積設備中反應；

步驟七：對步驟六處理后的晶圓表面進行金屬化處理，晶圓表面形成電路；

其中，該方法步驟四中采用的刻蝕裝置包括封閉倉、激發線圈和偏壓裝置，封閉倉的頂板上設有氣體注入口；其中，封閉倉、激發線圈和偏壓裝置不是本發明的創新之處，在此不作贅述；還包括移動模塊、固定板、震動單元、除塵模塊、卡緊件和控制器，所述移動模塊通過固定桿固定安裝在封閉倉的底板上；所述固定板通過震動單元固定安裝在除塵模塊的頂表面；所述移動模塊用于對晶圓進行移位；所述固定板上固定安裝有金屬吸盤，金屬吸盤用于對晶圓的底表面進行固定；所述除塵模塊用于對晶圓表面的雜質進行清理；所述卡緊件用于對除塵模塊進行限位；所述控制器用于控制移動模塊、震動單元、除塵模塊和卡緊件的工作；