[發明專利]豎直存儲器件有效
| 申請號: | 201810466878.2 | 申請日: | 2018-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN108962910B | 公開(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發明(設計)人: | 金敬勛;金泓秀;李太熙 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H10B43/35 | 分類號: | H10B43/35 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王新華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 豎直 存儲 器件 | ||
本公開提供了豎直存儲器件。一種豎直存儲器件包括在基板的第一區域上的導電圖案結構,該導電圖案結構包括交錯的導電圖案和絕緣層的堆疊。焊盤結構設置在基板的第二區域上,基板的第二區域與基板的第一區域相鄰,其中導電圖案的邊緣設置在沿著第一方向間隔開的點處以提供布置為階梯布置中的各臺階的導電焊盤。多個溝道結構延伸穿過導電圖案結構,并且多個虛設溝道結構延伸穿過焊盤結構。各接觸插塞設置在導電焊盤上。穿過導電焊盤的虛設溝道結構的每單位面積的數量是變化的。穿過導電焊盤的虛設溝道結構的寬度也可以變化。
技術領域
示例實施方式涉及豎直存儲器件。更具體地,示例實施方式涉及具有由變化尺寸的虛設溝道支撐的導電焊盤的豎直存儲器件以及豎直NAND閃存器件。
背景技術
已經發展了包括多個存儲單元的豎直存儲器件,該多個存儲單元分別豎直地堆疊在基板上的多個層級上。隨著層級的數目增加,豎直存儲器件可能具有不穩定的結構。
發明內容
示例實施方式能夠提供具有提高的穩定性的結構的豎直存儲器件。
根據示例實施方式,一種豎直存儲器件包括導電圖案結構,該導電圖案結構在基板上并包括交錯的導電圖案和絕緣層的堆疊,其中導電圖案的邊緣設置在沿著第一方向間隔開的點處以提供布置為階梯布置中的各臺階的導電焊盤。多個溝道結構在垂直于第一方向的第二方向上延伸穿過導電圖案結構,并且多個虛設溝道結構在第二方向上延伸穿過導電焊盤。各接觸插塞設置在導電焊盤上。導電焊盤中的第一個具有從其穿過的第一數量的虛設溝道結構,并且導電焊盤中的第二個具有從其穿過的第二數量的虛設溝道結構,虛設溝道結構的第二數量不同于虛設溝道結構的第一數量。
在某些實施方式中,穿過導電焊盤中的第一個的虛設溝道結構可以具有第一寬度,并且穿過導電焊盤中的第二個的虛設溝道結構可以具有不同于第一寬度的第二寬度。虛設溝道結構的第一數量可以少于虛設溝道結構的第二數量,并且第一寬度可以大于第二寬度。
在另一些示例實施方式中,一種豎直存儲器件包括在基板的第一區域上的導電圖案結構,該導電圖案結構包括交錯的導電圖案和絕緣層的堆疊。焊盤結構設置在基板的第二區域上,基板的第二區域與基板的第一區域相鄰,其中導電圖案的邊緣設置在沿著第一方向間隔開的點處以提供布置為階梯布置中的相應臺階的導電焊盤。多個溝道結構延伸穿過導電圖案結構,并且多個虛設溝道結構延伸穿過焊盤結構。各接觸插塞設置在導電焊盤上。穿過導電焊盤的虛設溝道結構的每單位面積的數量變化。穿過導電焊盤的虛設溝道結構的寬度也可以變化。例如,穿過導電焊盤的虛設溝道結構的寬度可以與穿過導電焊盤的虛設溝道結構的數量成反比地變化。
在另一些實施方式中,一種豎直存儲器件包括導電圖案結構,該導電圖案結構在基板上并包括交錯的導電圖案和絕緣層的堆疊,其中導電圖案的邊緣設置在沿著第一方向間隔開的點處以提供布置為階梯布置中的各臺階的導電焊盤。多個溝道結構在垂直于第一方向的第二方向上延伸穿過導電圖案結構,并且多個虛設溝道結構在第二方向上延伸穿過導電焊盤。各接觸插塞設置在導電焊盤上。導電焊盤中的第一個具有從其穿過的具有第一寬度的第一類虛設溝道結構。導電焊盤中的第二個具有從其穿過的第二類虛設溝道結構,第二類虛設溝道結構具有與第一寬度不同的第二寬度。虛設溝道結構的寬度可以從導電焊盤中的最上面的一個朝向導電焊盤中的最下面的一個增大,并且穿過相應的導電焊盤的虛設溝道結構的數量可以從導電焊盤中的最上面的一個朝向導電焊盤中的最下面的一個減少。
在示例實施方式中,通過虛設溝道結構的布置,豎直存儲器件可以具有穩定的結構。
附圖說明
從以下結合附圖進行的詳細描述,示例實施方式將被更清楚地理解。圖1至圖20表現了如這里描述的非限制性的示例實施方式。
圖1A和圖2分別是示出根據示例實施方式的豎直存儲器件的平面圖和截面圖;
圖1B是示出根據示例實施方式的豎直存儲器件的平面圖;
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