[發明專利]集成電路器件

在審

• 申請號: 201810466717.3
• 申請日: 2018-05-16
• 公開（公告）號: CN109545772A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 安浚爀;金恩靚;金熙中;李基碩;金奉秀;李明東;韓成熙;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種集成電路器件，包括：

成對的線結構，所述成對的線結構包括：

在第一水平方向上在襯底之上延伸的成對的導電線，以及

分別覆蓋所述成對的導電線的成對的絕緣蓋圖案；

導電插塞，其在所述成對的線結構之間，所述導電插塞在所述成對的導電線之間具有第一寬度并且在所述成對的絕緣蓋圖案之間具有第二寬度，所述第一寬度和所述第二寬度在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上，所述第二寬度大于所述第一寬度；以及

金屬硅化物膜，其在所述成對的絕緣蓋圖案之間接觸所述導電插塞的頂表面。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中所述導電插塞在所述成對的導電線之間具有第三寬度并且在所述成對的絕緣蓋圖案之間具有第四寬度，所述第三寬度和所述第四寬度在所述第一水平方向上，所述第四寬度小于所述第三寬度。

3.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中所述導電插塞包括：

下導電插塞，其在所述成對的導電線之間，所述下導電插塞具有隔離于與所述金屬硅化物膜的直接接觸的頂表面，以及

擴大導電插塞，其在所述成對的絕緣蓋圖案之間，所述擴大導電插塞具有：

接觸所述下導電插塞的所述頂表面的底表面，以及

接觸所述金屬硅化物膜的頂表面。

4.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，在所述導電插塞的側壁當中，是在所述第一水平方向上彼此相反的兩個側壁的第一側壁和第二側壁的每個從所述成對的導電線之間的區域沒有臺階地平坦地延伸到所述成對的絕緣蓋圖案之間的區域。

5.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中

所述導電插塞的所述頂表面接觸所述金屬硅化物膜，以及

所述導電插塞從所述成對的導電線之間的空間一體地延伸到所述成對的絕緣蓋圖案之間的空間。

6.根據權利要求1所述的集成電路器件，還包括：

下絕緣間隔物，其在每個導電線與所述導電插塞之間；以及

上絕緣間隔物，其在每個絕緣蓋圖案與所述導電插塞之間，

其中所述上絕緣間隔物在所述第二水平方向上的寬度小于所述下絕緣間隔物在所述第二水平方向上的寬度。

7.根據權利要求6所述的集成電路器件，其中

所述下絕緣間隔物具有在所述第一水平方向上與所述成對的導電線并排延伸的線形狀，以及

所述上絕緣間隔物具有圍繞所述導電插塞的環形狀。

8.根據權利要求6所述的集成電路器件，其中所述下絕緣間隔物和所述上絕緣間隔物的每個具有在所述第一水平方向上與所述成對的導電線并排延伸的線形狀。

9.根據權利要求6所述的集成電路器件，其中

所述下絕緣間隔物包括下空氣間隔物，

所述上絕緣間隔物包括與所述下空氣間隔物連通的上空氣間隔物，以及所述上空氣間隔物在所述第二水平方向上的寬度小于所述下空氣間隔物在所述第二水平方向上的寬度。

10.根據權利要求9所述的集成電路器件，其中

所述下空氣間隔物具有在所述第一水平方向上與所述成對的導電線并排延伸的線形狀，以及

所述上空氣間隔物具有圍繞所述導電插塞的環形狀。

11.根據權利要求9所述的集成電路器件，其中所述下空氣間隔物和所述上空氣間隔物的每個具有在所述第一水平方向上與所述成對的導電線并排延伸的線形狀。

12.根據權利要求1所述的集成電路器件，還包括：

在所述成對的導電線之間的成對的絕緣障礙物，所述成對的絕緣障礙物分別接觸所述導電插塞的側壁當中在所述第一水平方向上彼此相反的第一側壁和第二側壁。