[發明專利]半導體封裝以及制造該半導體封裝的方法

在審

• 申請號: 201810466695.0
• 申請日: 2018-05-16
• 公開（公告）號: CN108933123A
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: 李相殷
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L27/02;H01L21/98
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體封裝，包括：

第一半導體芯片，包括第一區域、第二區域以及在所述第一區域和所述第二區域之間的邊界區域；和

第二半導體芯片，設置在所述第一半導體芯片上，其中所述第二半導體芯片與所述邊界區域的一部分和所述第一區域重疊，并且不與所述第二區域重疊，

其中第一電路元件設置在所述第一區域中并且第二電路元件設置在所述邊界區域中，并且

其中第二電路元件應力耐受度大于第一電路元件應力耐受度。

2.如權利要求1所述的半導體封裝，其中第三電路元件設置在所述第二區域中，并且

其中第三電路元件應力耐受度大于所述第一電路元件應力耐受度。

3.如權利要求2所述的半導體封裝，其中所述第三電路元件應力耐受度小于所述第二電路元件應力耐受度。

4.如權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第二電路元件不包括單晶硅。

5.如權利要求4所述的半導體封裝，其中所述第二電路元件包括電容器、多晶硅電阻器、金屬電阻器和硅化物電阻器當中的至少一種。

6.如權利要求4所述的半導體封裝，其中所述第一電路元件包括單晶硅。

7.如權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一電路元件包括第一晶體管，

其中所述第二電路元件包括第二晶體管，

其中第一晶體管溝道長度比第二晶體管溝道長度長。

8.如權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第二半導體芯片的在所述邊界區域上的一個側表面沿著第一方向延伸，并且

其中所述第二電路元件包括其中源極和漏極沿著與所述第一方向交叉的第二方向對齊的第二晶體管。

9.如權利要求1所述的半導體封裝，其中從所述第二半導體芯片的在所述邊界區域上的第一側表面到所述第一區域的第一距離為40μm至60μm，并且

其中從所述第二半導體芯片的在所述邊界區域上的所述第一側表面到所述第二區域的第二距離為140μm至160μm。

10.一種半導體封裝，包括：

第一半導體芯片，包括第一區域、第二區域以及在所述第一區域和所述第二區域之間的邊界區域；和

第二半導體芯片，設置在所述第一半導體芯片上，其中所述第二半導體芯片與所述邊界區域的一部分和所述第一區域重疊，并且不與所述第二區域重疊，

其中所述第二半導體芯片的在所述邊界區域上的一個側表面沿著第一方向延伸，

其中第一晶體管設置在所述邊界區域中，并且

其中所述第一晶體管的源極和漏極沿著與所述第一方向交叉的第二方向對齊。

11.如權利要求10所述的半導體封裝，其中無源元件設置在所述邊界區域中，并且

其中所述無源元件不包括單晶硅。

12.如權利要求10所述的半導體封裝，其中第二晶體管設置在所述第一區域中，并且

其中第一晶體管溝道長度比第二晶體管溝道長度短。

13.如權利要求10所述的半導體封裝，其中第二晶體管設置在所述第一區域中，并且

其中所述第二晶體管的源極和漏極沿著所述第一方向對齊。

14.如權利要求10所述的半導體封裝，其中從所述第二半導體芯片的在所述邊界區域上的第一側表面到所述第一區域的第一距離為40μm至60μm，并且

其中從所述第二半導體芯片的在所述邊界區域上的所述第一側表面到所述第二區域的第二距離為140μm至160μm。