[發明專利]具有片內終結電路的非易失性存儲器和包括其的存儲器件

有效

• 申請號: 201810466576.5
• 申請日: 2018-05-16
• 公開（公告）號: CN108877853B
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 金恩智;樸廷埈;任政燉;鄭秉勛;崔榮暾
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種非易失性存儲器NVM器件，包括：

數據引腳；

控制引腳；

片內終結ODT引腳；以及

共同連接到所述數據引腳、所述控制引腳以及所述ODT引腳的多個NVM芯片，

其中，所述NVM芯片中的第一NVM芯片包括ODT電路，

其中，所述第一NVM芯片基于通過所述控制引腳接收的控制信號和通過所述ODT引腳接收的ODT信號來確定ODT寫入模式和ODT讀取模式中的一個，在所述ODT寫入模式期間使用所述ODT電路對所述數據引腳執行ODT，并在所述ODT讀取模式期間使用所述ODT電路對所述控制引腳執行所述ODT，

其中，所述控制信號指示是要執行讀取操作還是寫入操作，

其中，所述多個NVM芯片共同接收所述ODT信號，以及

其中，所述ODT信號指示是否將執行所述ODT。

2.如權利要求1所述的NVM器件，其中，當從所述NVM芯片中的第二NVM芯片讀取數據或向第二NVM芯片寫入數據時，所述ODT電路被用于執行所述ODT。

3.如權利要求1所述的NVM器件，其中，當使用芯片使能信號來取消選定所述第一NVM芯片，并且選定所述NVM芯片中的第二NVM芯片時，所述ODT電路被用于執行所述ODT。

4.如權利要求1所述的NVM器件，其中，所述NVM器件還包括用于接收數據選通信號的數據選通引腳，并且所述NVM芯片被共同連接到所述數據選通引腳。

5.如權利要求4所述的NVM器件，其中，當所述ODT信號被激活和所述控制信號被激活時，所述第一NVM芯片在所述數據選通信號的切換部分之前的所述數據選通信號的前導碼部分期間激活寫入ODT使能信號，并且當所述寫入ODT使能信號被激活時，使用所述ODT電路對所述數據引腳和所述數據選通引腳執行所述ODT。

6.如權利要求5所述的NVM器件，其中，當所述ODT信號被去激活時，所述第一NVM芯片在所述數據選通信號的切換部分之后的所述數據選通信號的后同步碼部分期間去激活所述寫入ODT使能信號。

7.如權利要求1所述的NVM器件，其中，當所述ODT信號被激活并且所述控制信號被去激活時，所述第一NVM芯片在所述控制信號的切換部分之前的所述控制信號的前導碼部分期間激活讀取ODT使能信號，并且當所述讀取ODT使能信號被激活時，使用所述ODT電路對所述控制引腳執行所述ODT。

8.如權利要求7所述的NVM器件，其中，當所述ODT信號被去激活時，所述第一NVM芯片在所述控制信號的切換部分之后的所述控制信號的后同步碼部分期間去激活所述讀取ODT使能信號。

9.如權利要求1所述的NVM器件，其中，所述ODT電路包括：

在電源電壓和連接到所述數據引腳的第一開關之間串聯連接的第一電阻器；以及

在所述電源電壓和連接到所述控制引腳的第二開關之間串聯連接的第二電阻器，

其中，所述第一NVM芯片在所述ODT寫入模式期間導通所述第一開關并且關閉所述第二開關，

其中，所述第一NVM芯片在所述ODT讀取模式期間關閉所述第一開關并且導通所述第二開關。