[發(fā)明專利]激光投射模組、深度相機(jī)及電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810462092.3
• 申請(qǐng)日: 2018-05-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108649423B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張百成;彭侃;游興龍;黃大帥;程才權(quán)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OPPO廣東移動(dòng)通信有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/042
• 分類號(hào): H01S5/042;H01S5/183;H01S5/187;H01S5/34;G02B27/42
• 代理公司: 北京知帆遠(yuǎn)景知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11890
• 代理人: 徐靜

本發(fā)明公開(kāi)的激光投射模組包括發(fā)射激光器，發(fā)射激光器包括依次層疊設(shè)置的陰極、襯底、N型分布式布拉格反射鏡、量子阱、限制層、P型分布式布拉格反射鏡、相位匹配層及陽(yáng)極，發(fā)射激光器還包括導(dǎo)引電極，導(dǎo)引電極的一端穿過(guò)襯底并與陰極電性連接，導(dǎo)引電極的另一端露出在發(fā)射激光器外并與陽(yáng)極位于襯底的同一側(cè)。本發(fā)明實(shí)施方式的激光投射模組中的發(fā)射激光器通過(guò)設(shè)置導(dǎo)引電極，并使導(dǎo)引電極的一端與陰極電性連接、及使導(dǎo)引電極的另一端露出在發(fā)射激光器外并與陽(yáng)極位于襯底的同一側(cè)，從而便于發(fā)射激光器與電路板組件電性連接。本發(fā)明還公開(kāi)了一種深度相機(jī)及電子裝置。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域，更具體而言，涉及一種激光投射模組、深度相機(jī)及電子裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)的陽(yáng)極及陰極分別形成在發(fā)射激光器的相背的兩側(cè)表面上，當(dāng)發(fā)射激光器安裝在電路板上時(shí)，發(fā)射激光器與電路板電性連接比較困難。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施方式提供一種激光投射模組、深度相機(jī)及電子裝置。

本發(fā)明實(shí)施方式的激光投射模組包括：發(fā)射激光器，所述發(fā)射激光器包括依次層疊設(shè)置的陰極、襯底、N型分布式布拉格反射鏡、量子阱、限制層、P型分布式布拉格反射鏡、相位匹配層及陽(yáng)極，所述發(fā)射激光器還包括導(dǎo)引電極，所述導(dǎo)引電極的一端穿過(guò)所述襯底并與所述陰極電性連接，所述導(dǎo)引電極的另一端露出在所述發(fā)射激光器外并與所述陽(yáng)極位于所述襯底的同一側(cè)。

在某些實(shí)施方式中，所述襯底的面積大于所述N型分布式布拉格反射鏡的面積、大于所述量子阱的面積、大于所述限制層的面積、大于所述P型分布式布拉格反射鏡的面積、大于所述相位匹配層的面積、及大于所述陽(yáng)極的面積，所述襯底包括與所述N型分布式布拉格反射鏡對(duì)齊的支撐部及凸出于所述N型分布式布拉格反射鏡的延伸部，所述陰極設(shè)置在所述支撐部及所述延伸部上，所述導(dǎo)引電極位于所述發(fā)射激光器的與所述延伸部對(duì)應(yīng)的一側(cè)，所述導(dǎo)引電極穿過(guò)所述延伸部并與位于所述延伸部上的所述陰極連接。

在某些實(shí)施方式中，所述延伸部開(kāi)設(shè)有貫穿所述延伸部的襯底過(guò)孔，所述導(dǎo)引電極的一端設(shè)置在所述襯底過(guò)孔內(nèi)并與所述陰極連接，所述導(dǎo)引電極的另一端從所述襯底露出在所述發(fā)射激光器外。

在某些實(shí)施方式中，所述N型分布式布拉格反射鏡的面積大于所述量子阱的面積、大于所述限制層的面積、大于所述P型分布式布拉格反射鏡的面積、大于所述相位匹配層的面積、及大于所述陽(yáng)極的面積，所述襯底與所述N型分布式布拉格反射鏡匹配，所述陰極與所述襯底匹配，所述N型分布式布拉格反射鏡包括與所述量子阱對(duì)齊的匹配部及凸出于所述量子阱的凸出部，所述導(dǎo)引電極位于所述發(fā)射激光器的與所述凸出部對(duì)應(yīng)的一側(cè)，所述導(dǎo)引電極穿過(guò)所述凸出部、及所述襯底并與位于與所述凸出部對(duì)應(yīng)的所述陰極連接。

在某些實(shí)施方式中，所述凸出部開(kāi)設(shè)有貫穿所述凸出部的反射鏡過(guò)孔，所述襯底開(kāi)設(shè)有貫穿所述襯底并與所述反射鏡過(guò)孔連通的襯底過(guò)孔，所述導(dǎo)引電極的一端設(shè)置在所述反射鏡過(guò)孔、及所述襯底過(guò)孔內(nèi)并與所述陰極連接，所述導(dǎo)引電極的另一端從所述N型分布式布拉格反射鏡露出在所述發(fā)射激光器外。

在某些實(shí)施方式中，所述襯底包括InP襯底、GaAs襯底、GaN襯底、SiC襯底、Si襯底中的任意一種。

在某些實(shí)施方式中，所述激光投射模組還包括：

電路板組件；及

鏡筒，所述鏡筒包括鏡筒側(cè)壁，所述鏡筒側(cè)壁設(shè)置在所述基板組件上并與所述基板組件共同形成收容腔，所述發(fā)射激光器設(shè)置在所述電路板組件上并收容在所述收容腔內(nèi)。

在某些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)引電極的遠(yuǎn)離所述陰極一端與所述陽(yáng)極在同一平面上。

在某些實(shí)施方式中，所述發(fā)射激光器通過(guò)打線或表面貼裝技術(shù)與所述電路板組件電性連接。