[發明專利]激光投射模組、深度相機及電子裝置

有效

• 申請號: 201810462092.3
• 申請日: 2018-05-15
• 公開（公告）號: CN108649423B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 張百成;彭侃;游興龍;黃大帥;程才權
• 申請（專利權）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/183;H01S5/187;H01S5/34;G02B27/42
• 代理公司: 北京知帆遠景知識產權代理有限公司 11890
• 代理人: 徐靜

1.一種激光投射模組，其特征在于，所述激光投射模組包括發射激光器，所述發射激光器包括依次層疊設置的陰極、襯底、N型分布式布拉格反射鏡、量子阱、限制層、P型分布式布拉格反射鏡、相位匹配層及陽極，所述襯底開設有貫穿所述襯底的襯底過孔，所述N型分布式布拉格反射鏡開設有貫穿所述N型分布式布拉格反射鏡的反射鏡過孔，所述襯底過孔與所述反射鏡過孔連通，所述發射激光器還包括導引電極，所述導引電極的一端依次穿過所述反射鏡過孔、所述襯底過孔再與所述陰極電性連接，所述導引電極的另一端露出在所述發射激光器外并與所述陽極位于所述襯底的同一側，所述導引電極與所述陽極間隔設置，所述陽極和所述陰極分別設置在所述襯底的相背兩側，所述陰極設置在所述襯底上。

2.根據權利要求1所述的激光投射模組，其特征在于，所述襯底的面積大于所述N型分布式布拉格反射鏡的面積、大于所述量子阱的面積、大于所述限制層的面積、大于所述P型分布式布拉格反射鏡的面積、大于所述相位匹配層的面積、及大于所述陽極的面積，所述襯底包括與所述N型分布式布拉格反射鏡對齊的支撐部及凸出于所述N型分布式布拉格反射鏡的延伸部，所述陰極設置在所述支撐部及所述延伸部上，所述導引電極位于所述發射激光器的與所述延伸部對應的一側，所述導引電極穿過所述延伸部并與位于所述延伸部上的所述陰極連接。

3.根據權利要求2所述的激光投射模組，其特征在于，所述延伸部開設有所述襯底過孔，所述導引電極的另一端從所述襯底露出在所述發射激光器外。

4.根據權利要求1所述的激光投射模組，其特征在于，所述N型分布式布拉格反射鏡的面積大于所述量子阱的面積、大于所述限制層的面積、大于所述P型分布式布拉格反射鏡的面積、大于所述相位匹配層的面積、及大于所述陽極的面積，所述襯底與所述N型分布式布拉格反射鏡匹配，所述陰極與所述襯底匹配，所述N型分布式布拉格反射鏡包括與所述量子阱對齊的匹配部及凸出于所述量子阱的凸出部，所述導引電極位于所述發射激光器的與所述凸出部對應的一側，所述導引電極穿過所述凸出部、及所述襯底并與位于與所述凸出部對應的所述陰極連接。

5.根據權利要求4所述的激光投射模組，其特征在于，所述凸出部開設有所述反射鏡過孔，所述導引電極的另一端從所述N型分布式布拉格反射鏡露出在所述發射激光器外。

6.根據權利要求1所述的激光投射模組，其特征在于，所述襯底包括InP襯底、GaAs襯底、GaN襯底、SiC襯底、Si襯底中的任意一種。

7.根據權利要求1-6任意一項所述的激光投射模組，其特征在于，所述激光投射模組還包括：

電路板組件；及

鏡筒，所述鏡筒包括鏡筒側壁，所述鏡筒側壁設置在基板組件上并與所述基板組件共同形成收容腔，所述發射激光器設置在所述電路板組件上并收容在所述收容腔內。

8.根據權利要求7所述的激光投射模組，其特征在于，所述導引電極的遠離所述陰極一端與所述陽極在同一平面上。

9.根據權利要求8所述的激光投射模組，其特征在于，所述發射激光器通過打線或表面貼裝技術與所述電路板組件電性連接。

10.根據權利要求7所述的激光投射模組，其特征在于，所述電路板組件包括基板及設置在所述基板與所述鏡筒之間的激光電路板，所述激光電路板開設有貫穿所述激光電路板并與所述收容腔連通的安裝孔，所述發射激光器設置在所述基板上并收容在所述安裝孔內，所述發射激光器與所述激光電路板電性連接。

11.根據權利要求7所述的激光投射模組，其特征在于，所述鏡筒包括自所述鏡筒側壁向內延伸形成的環形臺階；所述激光投射模組還包括：

準直元件，所述準直元件收容在所述收容腔內；及

衍射光學元件，所述衍射光學元件安裝在所述臺階上，所述發射激光器、所述準直元件和所述衍射光學元件依次設置在所述發射激光器的光路上。