[發(fā)明專利]具有雙側(cè)金屬布線的半導(dǎo)體封裝件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810455793.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109216219B | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭心圃;陳碩懋;劉獻(xiàn)文;莊博堯;許峯誠;林柏堯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 金屬 布線 半導(dǎo)體 封裝 | ||
方法包括在載體上方形成再分布結(jié)構(gòu),再分布結(jié)構(gòu)具有位于再分布結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離載體的表面上的導(dǎo)電部件;在再分布結(jié)構(gòu)的表面上方形成導(dǎo)電柱;將管芯附接至再分布結(jié)構(gòu)的鄰近導(dǎo)電柱的表面,其中,管芯的管芯連接件電連接至再分布結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電部件;以及通過導(dǎo)電接頭將預(yù)制襯底附接至導(dǎo)電柱,其中,導(dǎo)電接頭位于導(dǎo)電柱上并且包括與導(dǎo)電柱不同的材料,其中,導(dǎo)電接頭和導(dǎo)電柱將再分布結(jié)構(gòu)電連接至預(yù)制襯底。本發(fā)明的實(shí)施例還涉及具有雙側(cè)金屬布線的半導(dǎo)體封裝件。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例涉及具有雙側(cè)金屬布線的半導(dǎo)體封裝件。
背景技術(shù)
由于各個(gè)電組件(例如,晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的持續(xù)改進(jìn),半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速增長。對(duì)于大部分而言,這種集成密度的改進(jìn)來自于最小部件尺寸的連續(xù)減小,這使得更多的組件集成到給定的區(qū)域。隨著近來對(duì)更小的電子器件的需求的增長,對(duì)半導(dǎo)體管芯的更小且更具創(chuàng)造性的封裝技術(shù)的需求也已增長。
這些封裝技術(shù)的一個(gè)實(shí)例是疊層封裝(POP)技術(shù)。在PoP封裝件中,頂部半導(dǎo)體封裝件堆疊在底部半導(dǎo)體封裝件的頂部上以允許高集成度和組件密度。另一個(gè)實(shí)例是多芯片模塊(MCM)技術(shù),其中,多個(gè)半導(dǎo)體管芯被封裝在一個(gè)半導(dǎo)體封裝件中以提供具有集成功能的半導(dǎo)體器件。
先進(jìn)封裝技術(shù)的高集成度使得能夠生產(chǎn)具有增強(qiáng)的功能和小的覆蓋區(qū)的半導(dǎo)體器件,這對(duì)于諸如移動(dòng)電話、平板電腦和數(shù)字音樂播放器的小型器件是有利的。另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是縮短連接半導(dǎo)體封裝件內(nèi)的互操作部分的導(dǎo)電路徑的長度。這提高了半導(dǎo)體器件的電性能,因?yàn)殡娐分g互連的較短布線產(chǎn)生更快的信號(hào)傳播并且減少了噪聲和串?dāng)_。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法,包括:在載體上方形成再分布結(jié)構(gòu),所述再分布結(jié)構(gòu)具有位于所述再分布結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述載體的表面上的導(dǎo)電部件;在所述再分布結(jié)構(gòu)的所述表面上方形成導(dǎo)電柱;將管芯附接至所述再分布結(jié)構(gòu)的鄰近所述導(dǎo)電柱的表面,其中,所述管芯的管芯連接件電連接至所述再分布結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電部件;以及通過導(dǎo)電接頭將預(yù)制襯底附接至所述導(dǎo)電柱,其中,所述導(dǎo)電接頭位于所述導(dǎo)電柱上并且包括與所述導(dǎo)電柱不同的材料,其中,所述導(dǎo)電接頭和所述導(dǎo)電柱將所述再分布結(jié)構(gòu)電連接至所述預(yù)制襯底。
本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法,包括:在載體上方形成再分布結(jié)構(gòu),所述再分布結(jié)構(gòu)具有位于所述再分布結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述載體的表面上的導(dǎo)電焊盤;將管芯的管芯連接件接合至所述導(dǎo)電焊盤;在所述載體上方和所述管芯周圍形成模制材料;通過粘合層將預(yù)制襯底附接至所述模制材料和所述管芯,所述預(yù)制襯底具有電隔離的偽金屬部件;在附接所述預(yù)制襯底之后,使所述再分布結(jié)構(gòu)的介電層凹進(jìn)以暴露所述再分布結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電部件;以及在暴露的導(dǎo)電部件上形成導(dǎo)電凸塊。
本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件,包括:第一管芯,嵌入在第一模制材料內(nèi),所述第一管芯具有位于所述第一管芯的第一側(cè)處的管芯連接件;第一導(dǎo)電柱,嵌入在所述第一模制材料內(nèi)并且與所述第一管芯橫向間隔開;再分布結(jié)構(gòu),位于所述第一管芯的第一側(cè)處,通過焊料接頭將所述管芯連接件電連接至所述再分布結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電部件,所述導(dǎo)電部件位于所述再分布結(jié)構(gòu)的面向所述第一管芯的表面上;襯底,位于所述第一管芯的與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)處;以及第一焊料區(qū)域,插入在所述第一導(dǎo)電柱和所述襯底之間,其中,所述第一焊料區(qū)域和所述第一導(dǎo)電柱將所述再分布結(jié)構(gòu)電連接至所述襯底。
附圖說明
當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí),從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該指出,根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐,各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上,為了清楚的討論,各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。
圖1至圖5、圖6A和圖6B示出了根據(jù)實(shí)施例的處于各個(gè)制造階段的半導(dǎo)體器件的截面圖。
圖7示出了根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。
圖8示出了根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。
圖9示出了根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810455793.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





