[發明專利]具有雙側金屬布線的半導體封裝件

有效

• 申請號: 201810455793.4
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN109216219B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 鄭心圃;陳碩懋;劉獻文;莊博堯;許峯誠;林柏堯
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

在載體上方形成再分布結構，所述再分布結構具有位于所述再分布結構的遠離所述載體的表面上的導電焊盤；

將管芯的管芯連接件接合至所述導電焊盤；

在所述載體上方和所述管芯周圍形成模制材料；

通過粘合層將預制襯底附接至所述模制材料和所述管芯，所述預制襯底具有電隔離的偽金屬部件；

在附接所述預制襯底之后，使所述再分布結構的介電層凹進以暴露所述再分布結構的導電部件；以及

在暴露的導電部件上形成導電凸塊，

其中，所述模制材料從所述管芯連續延伸至所述模制材料的距離所述管芯最遠的邊界而沒有任何界面，

其中，整個所述預制襯底不包含任何電連接件，

其中，所述預制襯底包括介電芯，并且所述偽金屬部件設置在所述介電芯的遠離所述管芯的一側上。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述偽金屬部件嵌入在所述預制襯底內。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述模制材料包括圍繞管芯的第一模制材料和與所述第一模制材料不同的第二模制材料。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括，在附接所述預制襯底之后并且在使所述介電層凹進之前：

將所述預制襯底附接至帶；以及

將所述載體從所述再分布結構脫粘。