[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810454469.0
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN108428712A
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柯天麒;湯茂亮
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 歐陽帆

本公開涉及圖像傳感器及其制造方法。其中一個實(shí)施例提供了一種圖像傳感器，其包括：形成在襯底中的光電二極管，所述光電二極管包括從所述襯底的正面延伸到所述襯底中的N型區(qū)；以及電介質(zhì)層，放置在所述襯底的正面之上，并且在與所述襯底的正面平行的平面圖中與所述N型區(qū)的至少一部分重疊，其中所述電介質(zhì)層被配置為帶有負(fù)電荷，以使得在所述N型區(qū)的位于所述電介質(zhì)層下方的區(qū)域處形成帶有正電荷的感應(yīng)區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體而言，涉及圖像傳感器。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的圖像傳感器中，存在著諸多問題影響圖像傳感器的性能，例如，表面暗電流問題等等。

因此存在對于新的技術(shù)的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的之一是提供一種新型的圖像傳感器結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的制造方法。

根據(jù)本公開的一個方面，提供了一種圖像傳感器，其包括：形成在襯底中的光電二極管，所述光電二極管包括從所述襯底的正面延伸到所述襯底中的N型區(qū)；以及電介質(zhì)層，放置在所述襯底的正面之上，并且在與所述襯底的正面平行的平面圖中與所述N型區(qū)的至少一部分重疊，其中所述電介質(zhì)層被配置為帶有負(fù)電荷，以使得在所述N型區(qū)的位于所述電介質(zhì)層下方的區(qū)域處形成帶有正電荷的感應(yīng)區(qū)域。

根據(jù)本公開的另一個方面，提供了一種用于制造圖像傳感器的方法，其包括：在襯底中形成光電二極管，其中所述光電二極管包括從所述襯底的正面延伸到所述襯底中的N型區(qū)；以及在所述襯底的正面之上形成電介質(zhì)層，使得所述電介質(zhì)層在與所述襯底的正面平行的平面圖中與所述N型區(qū)的至少一部分重疊，其中所述電介質(zhì)層帶有負(fù)電荷，以使得在所述N型區(qū)的位于所述電介質(zhì)層下方的區(qū)域處形成帶有正電荷的感應(yīng)區(qū)域。

通過以下參照附圖對本公開的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本公開的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會變得更為清楚。

附圖說明

構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實(shí)施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。

參照附圖，根據(jù)下面的詳細(xì)描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：

圖1示出了根據(jù)本公開一個或多個示例性實(shí)施例的圖像傳感器的截面圖。

圖2示出了根據(jù)本公開一個或多個示例性實(shí)施例的圖像傳感器的截面圖。

圖3示出了根據(jù)本公開一個或多個示例性實(shí)施例的圖像傳感器制造方法的流程圖。

圖4A-4C分別示出了在根據(jù)本公開一個或多個示例性實(shí)施例來制造圖像傳感器的一個方法示例的各個步驟處的裝置截面示意圖。

圖5A-5C分別示出了在根據(jù)本公開一個或多個示例性實(shí)施例來制造圖像傳感器的一個方法示例的各個步驟處的裝置截面示意圖。

注意，在以下說明的實(shí)施方式中，有時在不同的附圖之間共同使用同一附圖標(biāo)記來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重復(fù)說明。在一些情況中，使用相似的標(biāo)號和字母表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

為了便于理解，在附圖等中所示的各結(jié)構(gòu)的位置、尺寸及范圍等有時不表示實(shí)際的位置、尺寸及范圍等。因此，本公開并不限于附圖等所公開的位置、尺寸及范圍等。

具體實(shí)施方式

下面將參照附圖來詳細(xì)描述本公開的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本公開的范圍。