[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810454469.0
• 申請日: 2018-05-14
• 公開（公告）號: CN108428712A
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柯天麒;湯茂亮
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

形成在襯底中的光電二極管，所述光電二極管包括從所述襯底的正面延伸到所述襯底中的N型區(qū)；以及

電介質(zhì)層，放置在所述襯底的正面之上，并且在與所述襯底的正面平行的平面圖中與所述N型區(qū)的至少一部分重疊，

其中所述電介質(zhì)層被配置為帶有負(fù)電荷，以使得在所述N型區(qū)的位于所述電介質(zhì)層下方的區(qū)域處形成帶有正電荷的感應(yīng)區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括絕緣層，位于所述襯底的正面之上，并且夾在所述電介質(zhì)層與所述N型區(qū)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述絕緣層的厚度在3到20納米的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述絕緣層由硅氧化物構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括用于所述光電二極管的晶體管，其中所述絕緣層的一部分位于所述晶體管的柵極下方以用作所述晶體管的柵氧化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述電介質(zhì)層的厚度在5到20納米的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述電介質(zhì)層的電荷密度在0.2到20C/cm³的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括用于所述光電二極管的晶體管，其中所述電介質(zhì)層的一部分位于所述晶體管的柵極下方以用作所述晶體管的柵氧化層，并且所述電介質(zhì)層的位于所述晶體管的柵極下方的所述部分不帶電。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述電介質(zhì)層由高介電常數(shù)材料形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器，其特征在于，所述高介電常數(shù)材料選自如下中的至少一種：HfO₂、Al₂O₃、HfO₂-Al₂O₃、HfSiO、HfTaO、HfTiO、HfZrO、ZrO₂。