[發明專利]光阻回刻制程方法

有效

• 申請號: 201810453005.8
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN108597991B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 李鎮全
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/28;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種光阻回刻制程方法，其特征在于，所述方法用于氧化硅掩模的去除，包括如下步驟：

步驟一，提供一單晶硅襯底，其具有柵極、氮化硅掩模、氧化硅掩模、氮化硅側墻和金屬硅化物，所述柵極兩側的半導體襯底中有淺溝槽氧化硅以及鍺硅；

步驟二，覆蓋一層有溝槽填充能力的材質的涂層；所述溝槽填充能力的材質的涂層為抗反射層；

步驟三，光阻覆蓋，曝光顯影；

步驟四，氧化硅掩模回刻蝕。

2.根據權利要求1所述的光阻回刻制程方法，其特征在于，所述強溝槽填充能力的材質的材質的涂層為有機沉積層。

3.根據權利要求1所述的光阻回刻制程方法，其特征在于，所述氧化硅掩模回蝕刻步驟采用干法刻蝕。

4.根據權利要求1所述的光阻回刻制程方法，其特征在于，步驟一中采用等離子體化學氣相沉積沉積氮化硅層作為氧化硅掩模層。

5.根據權利要求1所述的光阻回刻制程方法，其特征在于，步驟一中采用汽相外延完成鍺硅的生長。

6.根據權利要求1所述的光阻回刻制程方法，其特征在于，步驟一中淺溝槽形成步驟為采用曝光顯影工藝在氮化物層上涂覆的光刻膠層定義出淺溝槽圖形，將具有淺溝槽圖形的光刻膠層作為掩膜依次刻蝕氮化層、隔離氧化層以及半導體襯底得到淺溝槽，然后對淺溝槽進行氧化物填充后，進行氮化物層和隔離氧化物層的拋光處理，在半導體襯底中得到淺溝槽。

7.根據權利要求6所述的光阻回刻制程方法，其特征在于，所述鍺硅生長在多晶硅柵極源漏區域的凹槽內。