[發(fā)明專利]用于應(yīng)用處理器和存儲器集成的薄3D扇出嵌入式晶片級封裝（EWLB）

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810447726.8
• 申請日: 2013-03-08
• 公開（公告）號: CN108538781B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R.D.彭德斯
• 申請（專利權(quán)）人: 星科金朋私人有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周學(xué)斌;劉春元

本發(fā)明涉及用于應(yīng)用處理器和存儲器集成的薄3D扇出嵌入式晶片級封裝（EWLB）。一種具有多個第一半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體器件，該第一半導(dǎo)體管芯具有沉積在第一半導(dǎo)體管芯的第一表面上和第一半導(dǎo)體管芯周圍的密封劑。在密封劑上和第一半導(dǎo)體管芯的與第一表面相對的第二表面上形成絕緣層。該絕緣層包括在第一半導(dǎo)體管芯上的開口。在第一半導(dǎo)體管芯上在開口內(nèi)形成第一導(dǎo)電層。在第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層以形成垂直導(dǎo)電通孔。第二半導(dǎo)體管芯被置于第一半導(dǎo)體管芯上且被電連接到第一導(dǎo)電層。將凸點形成在第一半導(dǎo)體管芯的占位面積外的第二導(dǎo)電層上。第二半導(dǎo)體管芯被置于有效表面或第一半導(dǎo)體管芯的后表面上。

本申請為分案申請，其母案的發(fā)明名稱為“用于應(yīng)用處理器和存儲器集成的薄3D扇出嵌入式晶片級封裝（EWLB）”，申請日為2012年3月8日，申請?zhí)枮?01310156631.8。

優(yōu)先權(quán)要求

本申請要求2012年3月8日提交的編號為61/608,402的美國臨時申請的優(yōu)先權(quán)，在此通過引用將該申請并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地涉及形成包括具有精細間距互連的薄膜互連結(jié)構(gòu)的扇出（fan-out）嵌入式晶片級球柵陣列（Fo-eWLB）的半導(dǎo)體器件和方法。

背景技術(shù)

在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中通常可找到半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件在電子元件的數(shù)量和密度上是變化的。分立半導(dǎo)體器件通常包括一類電子元件，例如，發(fā)光二極管（LED）、小信號晶體管、電阻器、電容器、電感器和功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。集成半導(dǎo)體器件典型地包含幾百到幾百萬個電子元件。集成半導(dǎo)體器件的例子包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件（CCD）、太陽能電池和數(shù)字微鏡器件（DMD）。

半導(dǎo)體器件執(zhí)行廣泛的功能，諸如信號處理、高速計算、發(fā)送和接收電磁信號、控制電子器件、將太陽光轉(zhuǎn)換為電、和產(chǎn)生用于電視顯示的視覺投射。半導(dǎo)體器件在娛樂、通信、功率轉(zhuǎn)換、網(wǎng)絡(luò)、計算機和消費產(chǎn)品的領(lǐng)域中被找到。半導(dǎo)體器件也在軍事應(yīng)用、航空、汽車、工業(yè)控制器和辦公設(shè)備中被找到。

半導(dǎo)體器件利用了半導(dǎo)體材料的電性質(zhì)。半導(dǎo)體材料的原子結(jié)構(gòu)允許通過施加電場或基極電流或通過摻雜工藝來操縱其電導(dǎo)率。摻雜向半導(dǎo)體材料中引入雜質(zhì)來操縱和控制半導(dǎo)體器件的電導(dǎo)率。

半導(dǎo)體器件包含有源和無源電結(jié)構(gòu)。有源結(jié)構(gòu)，包括雙極和場效應(yīng)晶體管，控制電流的流動。通過改變摻雜水平和電場或基極電流的施加，晶體管提升或限制電流的流動。無源結(jié)構(gòu)，包括電阻器、電容器和電感器，建立執(zhí)行各種電學(xué)功能所必需的電壓和電流間的關(guān)系。無源和有源結(jié)構(gòu)被電連接以形成電路，其使半導(dǎo)體器件能夠執(zhí)行高速計算和其他有用的功能。

半導(dǎo)體器件通常使用兩個復(fù)雜的制造工藝來制造，即，前端制造和后端制造，均潛在地涉及幾百個步驟。前端制造涉及在半導(dǎo)體晶片上形成多個管芯。每個半導(dǎo)體管芯通常是相同的且包含通過電連接有源和無源元件所形成的電路。后端制造涉及從完成的晶片分割各個半導(dǎo)體管芯并且封裝管芯以提供結(jié)構(gòu)支撐和環(huán)境隔離。如此處使用的術(shù)語“半導(dǎo)體管芯”涉及該詞語的單數(shù)和復(fù)數(shù)形式兩者，且因此可涉及單個半導(dǎo)體器件和多個半導(dǎo)體器件兩者。

半導(dǎo)體制造的一個目的是生產(chǎn)更小的半導(dǎo)體器件。更小的器件通常地消耗更低的功率，具有更高的性能，且能被更有效率地生產(chǎn)。另外，更小的半導(dǎo)體器件具有更小的占位面積（footprint）,其對于更小的終端產(chǎn)品是期望的。更小的半導(dǎo)體管芯尺寸可通過前端工藝中的改進所實現(xiàn)，導(dǎo)致具有更小、更高密度的有源和無源元件的半導(dǎo)體管芯。后端工藝可通過電互連和封裝材料中的改進而導(dǎo)致具有更小占位面積的半導(dǎo)體器件封裝。