[發明專利]凹槽底部噴膠的埋入芯片封裝方法

在審

• 申請號: 201810447696.0
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN108598057A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 馬書英
• 申請（專利權）人: 華天科技（昆山）電子有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/48
• 代理公司: 昆山中際國創知識產權代理有限公司 32311
• 代理人: 段新穎

本發明公開了一種凹槽底部噴膠的埋入芯片封裝方法，采用特殊噴膠設備以膠滴的形式將UV膠噴射到凹槽底部用于貼芯片的區域，并控制噴膠頭在該區域內定點噴膠的厚度，且在噴涂UV膠的同時，采用UV光源照射噴涂的UV膠，進行UV固化，固定形貌。本發明能夠適應于更小芯片尺寸，從而解決了現有封裝設備無法拿持0.5mm×0.5mm及以下尺寸的帶DAF膜的芯片的問題，解決基板上凹槽蝕刻均一性的問題，并解決DAF膜在貼片過程中容易出現空洞，溢膠等不良的問題。另外，本發明相對于DAF膜成本更低，工藝更簡單，作業效率更快，UPH可達到70pcs/h。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，具體是涉及一種凹槽底部噴膠的埋入芯片封裝方法。

背景技術

晶圓級扇出型封裝技術是目前延續和超越摩爾定律的重要集成技術，是國際封測領域技術競爭焦點，而芯片埋入基板技術是晶圓級扇出封裝技術所應用的重要技術之一。晶圓級扇出技術由英飛凌發明，主要技術特征是借用模塑料的面積，使得芯片表面具有足夠的空間布線，植球，使得焊球節距滿足PCB互連要求。具體方式包括將芯片轉移到基板，通過塑封將芯片嵌入模塑料重構成新的晶圓，再通過布線，植球等方式完成芯片封裝。由該技術其具有多芯片、三維集成、超薄、靈活等突出優點，得到迅速發展。

現有晶圓級扇出型封裝工藝為：采用硅基晶圓作為扇出基板。通過高精度硅刻蝕，制備嵌入芯片的側壁垂直的凹槽；通過高精度減薄，將芯片減薄到100微米以下，然后背面貼DAF膜；通過高精度拿持，把帶有DAF膜的芯片粘貼到基板的凹槽內；通過真空，將芯片和凹槽之間20-30微米的空隙由聚合物材料填充，同時在整個晶圓重構了一個完全平整的覆蓋有聚合物的扇出表面；在對嵌入芯片的焊盤進行開口，露出；進一步利用標準工藝，制備多層布線，植球，最后進行減薄，劃片。

硅基扇出型技術關鍵工藝之一就是貼片，這種封裝工藝采用貼片機將切割后的帶有DAF膜的芯片粘貼到基板凹槽內，但是現有貼片機通過氣體傳感器來感應芯片，目前能夠拿持帶有DAF膜的芯片的范圍在0.5mm×0.5mm以上，對于更小尺寸芯片，需要采用更小的吸嘴，無法將帶有DAF膜的芯片從切割膜取下，因此無法埋入芯片。另外，這種封裝工藝在基板凹槽中埋入芯片使用DAF膜，由于DAF膜是固態膜狀結構，粘貼后加熱容易產生氣泡，并有空洞、溢膠等現象，且DAF膜材料成本較高，作業效率較慢。此外，這種封裝工藝，在基板上制作凹槽，為了使晶圓表面均一性較好，防止芯片凸起，要求凹槽底部水平度較高，然而，由于基板存在蝕刻均一性，蝕刻的外圈深度相對于蝕刻的內圈深度偏深，而DAF膜厚度又是一致的，這樣給蝕刻精度帶來了巨大挑戰。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提出一種能夠更好的適應于小芯片尺寸的凹槽底部噴膠的埋入芯片封裝方法。

本發明的技術方案是這樣實現的：

一種凹槽底部噴膠的埋入芯片封裝方法，包括如下步驟：

A.在基板上通過刻蝕方法蝕刻出凹槽；

B.采用噴膠設備在所述凹槽內噴涂UV膠，且控制所述噴膠設備的噴膠頭以膠滴的形式將UV膠噴射到所述凹槽底部用于貼芯片的區域，并控制所述噴膠頭在該區域內定點噴膠的厚度，在噴涂UV膠的同時，采用UV光源照射噴涂的UV膠，進行UV固化，固定形貌，形成粘接膠層；

C.將單個或多個芯片粘貼到所述凹槽底部上的粘接膠層上。

進一步的，所述基板為硅基晶圓，所述硅基晶圓具有第一表面和與其相對的第二表面，在所述硅基晶圓的第一表面刻蝕形成多個具有設定形狀和深度的所述凹槽，在將芯片埋入凹槽內并完成晶圓級扇出封裝后，對所述硅基晶圓進行切割，形成單顆封裝體。

進一步的，所述UV膠的噴涂厚度為1μm-20μm。

進一步的，所述UV光源安裝于所述噴膠頭上，與所述噴膠頭同時移動。