[發(fā)明專利]圖像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810442999.3 | 申請日: | 2018-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN108878397B | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李貴德;李光敏;李泰淵;石井勝 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L27/30 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
提供了一種包括能夠增強顏色再現(xiàn)性的有機光電層的圖像傳感器。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的圖像傳感器包括含彼此間隔開的多個像素區(qū)域和其間的隔離區(qū)域的半導(dǎo)體基板。所述多個像素區(qū)域的每個具有單位像素。該圖像傳感器還包括在隔離區(qū)域中并圍繞單位像素的器件隔離層、第一透明電極層、有機光電層和第二透明電極層。該圖像傳感器還包括電連接到第一透明電極層并在隔離區(qū)域中布置于器件隔離層之間的通路插塞。通路插塞穿過隔離區(qū)域。第一透明電極層、有機光電層和第二透明電極層順序地布置在半導(dǎo)體基板之上。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明構(gòu)思涉及圖像傳感器,更具體地,涉及包括有機光電層的圖像傳感器。
背景技術(shù)
用于將光波轉(zhuǎn)換成電信號的圖像傳感器用于在汽車、安保裝置和機器人內(nèi)安裝的照相機、以及諸如數(shù)碼照相機、便攜式電話的照相機和便攜式攝像機的消費電子(CE)裝置中生成圖像。
具有更小尺寸和更高分辨率的圖像傳感器已經(jīng)變得必需,因而采用包括有機光電層的圖像傳感器來減小像素尺寸。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思提供了一種包括能夠增強顏色再現(xiàn)性的有機光電層的圖像傳感器。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面,提供了一種圖像傳感器,其包括含彼此間隔開的多個像素區(qū)域以及其間的隔離區(qū)域的半導(dǎo)體基板。所述多個像素區(qū)域的每個具有單位像素。該圖像傳感器還包括設(shè)置在隔離區(qū)域中并圍繞單位像素的器件隔離層、第一透明電極層、有機光電層、第二透明電極層、以及電連接到第一透明電極層的通路插塞。通路插塞在隔離區(qū)域中設(shè)置于器件隔離層之間并穿過隔離區(qū)域。第一透明電極層、有機光電層、第二透明電極層順序地設(shè)置在半導(dǎo)體基板之上。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面,提供了一種圖像傳感器,其包括含隔離區(qū)域和彼此間隔開的多個像素區(qū)域的半導(dǎo)體基板。器件隔離層設(shè)置在所述多個像素區(qū)域當中的兩個相鄰像素區(qū)域之間。所述多個像素區(qū)域的每個具有單位像素。該圖像傳感器還包括設(shè)置在半導(dǎo)體基板之上并且在所述多個像素區(qū)域的每個中以對應(yīng)于單位像素的第一透明電極層、形成為在所述多個像素區(qū)域之上的一體部分的第二透明電極層、以及設(shè)置在第一透明電極層與第二透明電極層之間的有機光電層。該圖像傳感器還包括通路插塞,其被設(shè)置在器件隔離層之間并且通過穿過半導(dǎo)體基板的隔離區(qū)域而電連接第一透明電極層和單位像素。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面,提供了一種圖像傳感器,其包括含彼此間隔開的多個像素區(qū)域和其間的隔離區(qū)域的半導(dǎo)體基板。所述多個像素區(qū)域的每個具有單位像素,并且器件隔離層布置在每個隔離區(qū)域中。該圖像傳感器還包括布置在半導(dǎo)體基板之上并且在所述多個像素區(qū)域的每個中以對應(yīng)于單位像素的第一透明電極層、形成為在所述多個像素區(qū)域之上的一體部分的第二透明電極層、以及在第一透明電極層與第二透明電極層之間的有機光電層。該圖像傳感器還包括通路插塞,其被布置在器件隔離層之間并通過穿過半導(dǎo)體基板的隔離區(qū)域而電連接第一透明電極層和單位像素。在兩個相鄰單位像素之間,通路插塞的寬度小于器件隔離層的寬度。
附圖說明
本發(fā)明構(gòu)思的實施方式將由以下結(jié)合附圖的詳細描述被更清楚地理解,附圖中:
圖1A和1B示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式的圖像傳感器的一部分的垂直剖視圖;
圖2A至2D示出顯示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式的制造圖像傳感器的方法的水平剖視圖;
圖3A和3B分別示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式的圖像傳感器的一部分的水平剖視圖及其一些放大部分的垂直剖視圖;
圖4A至4C示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式的圖像傳感器的一部分的水平剖視圖;
圖5示出顯示了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式的制造圖像傳感器的方法的水平剖視圖;
圖6A和6B分別示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一實施方式的圖像傳感器的一部分的水平剖視圖及其放大的一些部分的垂直剖視圖;
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