[發(fā)明專利]圖像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810442999.3 | 申請日： | 2018-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN108878397B | 公開（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李貴德;李光敏;李泰淵;石井勝 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L27/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器，包括：
半導(dǎo)體基板，其包括多個隔離區(qū)域和彼此間隔開的多個像素區(qū)域，所述多個隔離區(qū)域的每個設(shè)置在所述多個像素區(qū)域當(dāng)中的相鄰像素區(qū)域之間，所述多個像素區(qū)域具有多個單位像素；
多個器件隔離層，所述多個器件隔離層的每個設(shè)置在所述多個隔離區(qū)域中的一個中并且圍繞所述多個單位像素中的一個；
第一透明電極層，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板之上；
有機光電層，其設(shè)置在所述第一透明電極層上；
第二透明電極層，其設(shè)置在所述有機光電層上；
通路插塞，其電連接到所述第一透明電極層，并且布置在所述多個器件隔離層當(dāng)中的相鄰器件隔離層之間，所述通路插塞穿過所述多個隔離區(qū)域中的一個；以及
側(cè)表面絕緣層，所述側(cè)表面絕緣層覆蓋所述通路插塞的側(cè)表面并且布置在所述相鄰器件隔離層與所述通路插塞之間，
其中所述多個器件隔離層的每個包括由金屬或半導(dǎo)體材料形成的芯隔離層、以及覆蓋所述芯隔離層的側(cè)壁并且由絕緣材料形成的蓋隔離層，以及
其中所述蓋隔離層還設(shè)置在所述側(cè)表面絕緣層與所述芯隔離層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，在所述多個單位像素當(dāng)中的兩個相鄰單位像素之間，包括所述通路插塞和所述側(cè)表面絕緣層的穿透通路結(jié)構(gòu)的寬度等于或大于所述多個器件隔離層的每個的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層布置在所述通路插塞與所述相鄰器件隔離層之間或者在所述通路插塞與所述相鄰器件隔離層之一之間，并且由與所述半導(dǎo)體基板相同的材料形成，所述半導(dǎo)體層與所述通路插塞被所述側(cè)表面絕緣層隔開。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，在所述多個單位像素當(dāng)中的兩個相鄰單位像素之間，所述通路插塞的寬度小于所述多個器件隔離層中的一個的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一透明電極層被構(gòu)造為彼此間隔開并且布置在所述多個像素區(qū)域中的多個部分，以及
所述第二透明電極層被構(gòu)造為在所述多個像素區(qū)域之上的一體部分。
6.一種圖像傳感器，包括：
半導(dǎo)體基板，其包括多個隔離區(qū)域和彼此間隔開的多個像素區(qū)域，所述多個隔離區(qū)域的每個設(shè)置在所述多個像素區(qū)域當(dāng)中的相鄰像素區(qū)域之間，所述多個像素區(qū)域具有多個單位像素；
布置在所述多個隔離區(qū)域中的多個器件隔離層；
第一透明電極層，其布置在所述半導(dǎo)體基板之上以及在所述多個像素區(qū)域的每個中；
第二透明電極層，其形成為在所述多個像素區(qū)域之上的一體部分；
有機光電層，其設(shè)置在所述第一透明電極層與所述第二透明電極層之間；
通路插塞，其布置在所述多個器件隔離層當(dāng)中的相鄰器件隔離層之間，并且電連接所述第一透明電極層和所述多個單位像素中的一個，所述通路插塞穿過所述半導(dǎo)體基板并設(shè)置在所述多個隔離區(qū)域中的一個中；以及
側(cè)表面絕緣層，所述側(cè)表面絕緣層覆蓋所述通路插塞的側(cè)表面并且布置在所述相鄰器件隔離層與所述通路插塞之間，
其中所述多個器件隔離層的每個包括由導(dǎo)電材料形成的芯隔離層、以及覆蓋所述芯隔離層的側(cè)壁并且由絕緣材料形成的蓋隔離層，以及
其中所述蓋隔離層還設(shè)置在所述側(cè)表面絕緣層與所述芯隔離層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中所述芯隔離層與所述多個單位像素電絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中所述通路插塞設(shè)置在所述多個單位像素當(dāng)中的兩個相鄰單位像素之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中所述通路插塞設(shè)置在所述多個單位像素當(dāng)中的四個相鄰單位像素之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，還包括在所述半導(dǎo)體基板中彼此間隔開并設(shè)置在所述多個像素區(qū)域的每個中的光電轉(zhuǎn)換器件和存儲節(jié)點區(qū)域，
其中所述通路插塞電連接所述第一透明電極層和所述存儲節(jié)點區(qū)域。
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