[發明專利]像素結構及其制備方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201810439677.3 | 申請日: | 2018-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN110085623B | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發明(設計)人: | 陳穎 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明涉及一種像素結構及其制備方法和顯示裝置,該像素結構包括陣列基板、多個像素單元和界定層,多個像素單元間隔設置在陣列基板上,每個像素單元包括多個間隔設置的子像素;界定層包括黑色的第一分隔部及透光的第二分隔部,第一分隔部與第二分隔部共同圍設成一網絡狀結構,第一分隔部設置在相鄰兩個像素單元之間,以分隔相鄰的兩個像素單元,第二分隔部設置在每個像素單元的相鄰的兩個子像素之間,以分隔每個像素單元的兩個相鄰的子像素。上述像素結構能夠實現顯示裝置的高分辨顯示。
技術領域
本發明涉及顯示器領域,尤其涉及一種像素結構及其制備方法和顯示裝置。
背景技術
隨著移動顯示市場的發展以及追求更清晰畫質的市場需求,高分辨顯示技術日益受到重視。以國際正在研發中的印刷顯示技術為例,為了應用于移動顯示設備或者下一代高分辨視頻等場合,分辨率需要在原有基礎上進一步提高,有時甚至超過印刷機本身提供的分辨率極限。為此,一些通過在原有像素中再細分子像素,并且合理排列組合這些像素的技術已被發明。依然以印刷有機發光(OLED)顯示技術為例:傳統的方案中,每個像素通過像素界定層定義其形狀,和與其他像素隔離。由此,像素界定層界在基板上定出像素區和非像素區。像素區即為像素發光區域。而它們之間的非像素區則有絕緣的堤案(bank)將相鄰像素隔離開,也就是像素分隔墻。由于工藝的限制,這種獨立像素的大小有一定限制,尤其在目前的噴墨打印印刷工藝中,由于打印機噴墨的技術限制,最小的單色像素尺寸往往依然不能滿足高分辨顯示的需要。
另一方面,除上述印刷發光像素以外的其他顯示器制作工藝卻相對更為成熟。比如,制作顯示器基板、基板上的驅動電路,以及像素界定層的工藝等。經過長期發展,已經可以滿足各種高分辨的需要。于是,為了克服發光器件單色像素制造工藝的限制,一種解決方案是,通過將不同像素的同一種顏色的子像素排列在一起,讓其形成一個較大的同色像素區域。或者換個角度說,即將發光器件制造時制造的一個單色像素進一步通過劃分驅動電路等方式,分割成更小的子單色像素,并分配給不同的RGB彩色像素,由此實現分辨率的提升。
值得注意的是,像素界定層的分隔墻一般由透明材料通過半導體光刻工藝在顯示面板的基板上制成。由于它存在于規則排列的像素之間的所有非像素區,實際就形成一種周期性的網格狀,光學上具有可以散射光的特性。它不僅會對發光像素所發射的光產生散射,也會對外界光產生散射,這對高分辨顯示會產生不利影響。例如,戶外的自然光可能被這樣的像素界定層大量散射,造成反光干擾,淹沒顯示器本身所發光。此外,不同RGB像素的子像素間也會因為這樣的散射互相干擾,產生漫散射,降低了像素顯示圖像的清晰度。為了解決這個問題,一些顯示器生產者提出用染色像素分隔墻的方法,即,使像素分隔墻呈黑色,吸收各種散射光,從而提高抗反光能力。然而,這種黑色像素分隔墻也會吸收像素本身所發出的光,會降低顯示亮度,影響分辨率。
發明內容
基于此,有必要提供一種能夠實現顯示裝置的高分辨顯示的像素結構。
此外,還提供一種像素結構的制備方法和顯示裝置。
一種像素結構,包括:
陣列基板;
設置在所述陣列基板上的多個間隔的像素單元,每個所述像素單元包括多個間隔設置的子像素;
界定層,包括黑色的第一分隔部及透光的第二分隔部,所述第一分隔部與所述第二分隔部共同圍設成一網絡狀結構,所述第一分隔部設置在相鄰兩個所述像素單元之間,以分隔相鄰的兩個所述像素單元,所述第二分隔部設置在每個所述像素單元的相鄰的兩個所述子像素之間,以分隔每個所述像素單元的兩個相鄰的所述子像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





