[發明專利]像素結構及其制備方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201810439677.3 | 申請日: | 2018-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN110085623B | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發明(設計)人: | 陳穎 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種像素結構,其特征在于,包括:
陣列基板;
設置在所述陣列基板上的多個間隔的像素單元,每個所述像素單元包括多個間隔設置的子像素;每個所述像素單元具有三種顏色的子像素,分別為紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素;
界定層,包括黑色的第一分隔部及透光的第二分隔部,所述第一分隔部與所述第二分隔部共同圍設成一網絡狀結構,所述第一分隔部設置在相鄰兩個所述像素單元之間,以分隔相鄰的兩個所述像素單元,每個所述像素單元的每兩個相鄰的所述子像素之間均設置有所述第二分隔部,以使每個所述像素單元的每兩個相鄰的所述子像素均由所述第二分隔部分隔。
2.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,所述第一分隔部由膠料制備得到,所述膠料中含有能夠在光照作用下變成黑色的光致變色材料。
3.根據權利要求2所述的像素結構,其特征在于,所述第二分隔部由所述膠料制備得到。
4.根據權利要求2所述的像素結構,其特征在于,所述光致變色材料能夠在紫外光的照射作用下變成黑色。
5.根據權利要求4所述的像素結構,其特征在于,所述光致變色材料選自1,2-二氫喹啉、1,2-二氫喹啉的衍生物、螺吡喃染料、螺吩噁嗪染料及金屬鹵化物中的至少一種。
6.根據權利要求5所述的像素結構,其特征在于,所述金屬鹵化物選自鹵化銀、鹵化鋅、鹵化鎘、鹵化銅及鹵化鎂中的至少一種。
7.根據權利要求2~6任一項所述的像素結構,其特征在于,按照質量百分含量,所述膠料包括:4%~50%的感光樹脂、0.001%~30%的增感劑、0.001%~30%的所述光致變色材料及30%~95%的溶劑。
8.根據權利要求7所述的像素結構,其特征在于,所述感光樹脂選自聚酰亞胺、聚羥基苯乙烯、聚羥基苯乙烯的衍生物、聚對羥基苯乙烯、聚對羥基苯乙烯的衍生物、聚酯環族丙烯酸酯及聚酯環族丙烯酸酯的共聚物中的一種,及/或,所述增感劑選自光敏化合物及光致酸產生劑中的至少一種。
9.一種像素結構的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
在陣列基板上形成界定膜,以使所述界定膜包括第一初始分隔部和第二初始分隔部,且所述第一初始分隔部與所述第二初始分隔部共同圍設成一網絡狀結構,所述第一初始分隔部中含有光致變色材料;
對所述第一初始分隔部進行曝光處理,使所述光致變色材料變成黑色,以得到黑色的所述第一初始分隔部;
將所述界定膜進行固化處理,得到包括黑色的第一分隔部和透光的第二分隔部的界定層;
在所述陣列基板上設置多個包括多個子像素的像素單元,每個所述像素單元具有三種顏色的子像素,分別為紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素;并使所述第一分隔部位于相鄰兩個所述像素單元之間,所述第二分隔部位于每個所述像素單元的相鄰的兩個所述子像素之間,得到像素結構。
10.根據權利要求9所述的像素結構的制備方法,其特征在于,所述在陣列基板上形成界定膜的步驟包括:使用膠料在陣列基板上形成膜層,對所述膜層曝光處理,然后進行顯影處理,得到所述界定膜,所述膠料中含有所述光致變色材料。
11.根據權利要求10所述的像素結構的制備方法,其特征在于,按照質量百分含量計,所述膠料包括:4%~50%的感光樹脂、0.001%~30%的增感劑、0.001%~30%的所述光致變色材料及30%~95%的溶劑。
12.根據權利要求11所述的像素結構的制備方法,其特征在于,所述感光樹脂選自聚酰亞胺、聚羥基苯乙烯、聚羥基苯乙烯的衍生物、聚對羥基苯乙烯、聚對羥基苯乙烯的衍生物、聚酯環族丙烯酸酯及聚酯環族丙烯酸酯的共聚物中的一種;及/或,所述增感劑選自光敏化合物及光致酸產生劑中的至少一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





