[發(fā)明專(zhuān)利]TFT陣列基板的制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810439207.7
• 申請(qǐng)日: 2018-05-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108598041A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅傳寶
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;鞠驍

1.一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底基板(10)；在所述襯底基板(10)上形成柵極(20)；在所述襯底基板(10)及柵極(20)上形成柵極絕緣層(30)；在所述柵極絕緣層(30)上于柵極(20)上方形成氧化物半導(dǎo)體圖案(40)；

在柵極絕緣層(30)及氧化物半導(dǎo)體圖案(40)上形成金屬材料層(50)，對(duì)所述金屬材料層(50)進(jìn)行刻蝕，形成分別與氧化物半導(dǎo)體圖案(40)兩端連接的源極(51)及漏極(52)；

提供絡(luò)合反應(yīng)溶液，利用絡(luò)合反應(yīng)溶液對(duì)氧化物半導(dǎo)體圖案(40)表面進(jìn)行處理，使絡(luò)合反應(yīng)溶液與因刻蝕金屬材料層(50)而在氧化物半導(dǎo)體圖案(40)表面產(chǎn)生的金屬離子發(fā)生絡(luò)合反應(yīng)。

2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述絡(luò)合反應(yīng)溶液為氫氰酸溶液。

3.如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，在利用氫氰酸溶液對(duì)氧化物半導(dǎo)體圖案(40)的表面進(jìn)行處理后，于氧化物半導(dǎo)體圖案(40)的表面形成一層保護(hù)層(60)，所述保護(hù)層(60)的材料為包含因刻蝕金屬材料層(50)而產(chǎn)生的金屬離子的氰化物；

所述保護(hù)層(60)的厚度小于電子躍遷半徑。

4.如權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述金屬材料層(50)的材料為銅；

所述保護(hù)層(60)的材料為包含銅離子的氰化物。

5.如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述氫氰酸溶液的濃度為ppm級(jí)。

6.如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，利用氫氰酸溶液對(duì)氧化物半導(dǎo)體圖案(40)的表面進(jìn)行處理具體為：將氧化物半導(dǎo)體圖案(40)的表面在氫氰酸溶液中浸泡預(yù)定時(shí)間。

7.如權(quán)利要求6所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述預(yù)定時(shí)間為10min-15min。

8.如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，在利用氫氰酸溶液對(duì)氧化物半導(dǎo)體圖案(40)的表面進(jìn)行處理后，還利用風(fēng)刀對(duì)氧化物半導(dǎo)體圖案(40)的表面進(jìn)行吹干處理。

9.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體圖案(40)的材料為銦鎵鋅氧化物。

10.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述襯底基板(10)的材料為玻璃；

在所述襯底基板(10)上形成柵極(20)具體為：采用物理氣相沉積在所述襯底基板(10)上形成一層金屬層，對(duì)所述金屬層進(jìn)行黃光制程，形成柵極(20)；

采用化學(xué)氣相沉積在襯底基板(10)及柵極(20)上形成柵極絕緣層(30)；

在所述柵極絕緣層(30)上于柵極(20)上方形成氧化物半導(dǎo)體圖案(40)具體為：采用物理氣相沉積在所述柵極絕緣層(30)上形成一層氧化物半導(dǎo)體層，對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行黃光制程，形成位于柵極(20)上方的氧化物半導(dǎo)體圖案(40)；

采用物理氣相沉積在柵極絕緣層(30)及氧化物半導(dǎo)體圖案(40)上形成金屬材料層(50)；對(duì)所述金屬材料層(50)進(jìn)行濕刻蝕，形成分別與氧化物半導(dǎo)體圖案(40)兩端連接的源極(51)及漏極(52)。