[發明專利]TFT陣列基板的制作方法

在審

• 申請號: 201810439207.7
• 申請日: 2018-05-09
• 公開（公告）號: CN108598041A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 羅傳寶
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;鞠驍

本發明提供一種TFT陣列基板的制作方法。該方法在對氧化物半導體圖案上方的金屬材料層進行刻蝕而制得源極及漏極之后，利用絡合反應溶液對氧化物半導體圖案表面進行處理，使絡合反應溶液與因刻蝕金屬材料層而在氧化物半導體圖案表面產生的金屬離子發生絡合反應，從而避免因刻蝕金屬材料層而產生的金屬離子與氧化物半導體圖案內的氧原子結合使氧化物半導體圖案內的氧空位缺陷，從而保證了氧化物半導體圖案的遷移率，使制得的TFT陣列基板的TFT器件的電性穩定。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板的制作方法。

背景技術

在顯示技術領域，液晶顯示屏(Liquid Crystal Display，LCD)與有機發光二極管顯示屏(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板顯示裝置已經逐步取代陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示屏。

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)是目前的液晶顯示裝置和有源矩陣型OLED顯示裝置中的主要驅動元件，直接關系到高性能平板顯示裝置的發展方向。薄膜晶體管具有多種結構，非晶硅(a-Si)材料是其中常見的一種。

隨著液晶顯示裝置和OLED顯示裝置向著大尺寸和高分辨率的方向發展，傳統的非晶硅僅有1cm²/(Vs)左右的遷移率已經無法滿足要求，以銦鎵鋅氧化物(IGZO)為代表的金屬氧化物材料具備超過10cm²/(Vs)以上的遷移率，而且相應的薄膜晶體管的制備與現有的非晶硅為半導體驅動的產線的兼容性較好，近年來迅速成為顯示領域研發的重點。

采用氧化物半導體的TFT陣列基板的典型結構有刻蝕阻擋(ESL)結構、背溝道(BCE)結構、頂柵極(Top Gate)結構等。背溝道結構的TFT陣列基板具有在制作時所需要的光罩(mask)數量少以及TFT器件的面積小的優點，但是其氧化物半導體層容易受到損傷而影響TFT器件的性能。請參閱圖1，為現有的一種采用背溝道結構的氧化物半導體TFT陣列基板的結構示意圖，包括襯底100、設于襯底上的柵極200、設于襯底100上且覆蓋柵極200的柵極絕緣層300、設于柵極絕緣層300上且位于柵極200上方的氧化物半導體圖案400及設于柵極絕緣層300上且分別與氧化物半導體圖案400的兩端連接的源極510及漏極520。該TFT陣列基板的源極510漏極520的制作方法是在柵極絕緣層300及氧化物半導體圖案400上整面沉積材料為銅(Cu)的金屬層，接著對金屬層進行刻蝕而去除金屬層位于氧化物半導體圖案400的中間上方的部分而形成源極510及漏極520，這導致在刻蝕金屬層的過程中，刻蝕液與金屬層反應產生銅離子(Cu²⁺)，這些銅離子會吸附在氧化物半導體圖案400上與氧化物半導體圖案400內的氧原子結合，造成氧化物半導體圖案400內的氧空穴增加，而氧空位缺陷，而氧化物半導體TFT器件的電性與穩定性很大程度上依賴于氧化物半導體圖案400中的氧空位，且對氧空位異常敏感，因而現有的背溝道結構的氧化物半導體TFT陣列基板中的TFT器件的電性及穩定性會受到影響，影響產品的品質。

發明內容

本發明的目的在于提供一種TFT陣列基板的制作方法，能夠保證制得的TFT陣列基板的氧化物半導體圖案的遷移率，使TFT陣列基板的TFT器件的電性穩定，提升產品品質。

為實現上述目的，本發明提供一種TFT陣列基板的制作方法，包括：

提供襯底基板；在所述襯底基板上形成柵極；在所述襯底基板及柵極上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上于柵極上方形成氧化物半導體圖案；

在柵極絕緣層及氧化物半導體圖案上形成金屬材料層，對所述金屬材料層進行刻蝕，形成分別與氧化物半導體圖案兩端連接的源極及漏極；

提供絡合反應溶液，利用絡合反應溶液對氧化物半導體圖案表面進行處理，使絡合反應溶液與因刻蝕金屬材料層而在氧化物半導體圖案表面產生的金屬離子發生絡合反應。