[發明專利]一種量子點全彩微顯示器件的制備方法在審
| 申請號: | 201810438905.5 | 申請日: | 2018-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN108511390A | 公開(公告)日: | 2018-09-07 |
| 發明(設計)人: | 李陽;游寶貴 | 申請(專利權)人: | 廣東普加福光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77 |
| 代理公司: | 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425 | 代理人: | 潘雯瑛 |
| 地址: | 529000 廣東省江*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微顯示器件 量子點 全彩 制備 量子點材料 圖案化排布 全彩顯示 三色像素 樹脂膠水 掩模板 藍光 綠膠 涂覆 遮罩 固化 芯片 | ||
本發明涉及一種量子點全彩微顯示器件的制備方法,先后利用三塊具有特定設計的掩模板作為遮罩,依次將含有紅、綠色量子點材料的樹脂膠水涂覆并固化于藍光Micro LED芯片陣列上的對應芯片上,形成紅、綠、藍三色像素的圖案化排布,并避免紅、綠膠層的相互竄擾,從而實現Micro LED的高精度全彩顯示。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種量子點全彩微顯示器件的制備方法。
背景技術
將芯片尺寸小于200微米的微型LED,規則排列于薄膜晶體二極管(TFT)上,就形成了Micro LED顯示器的主體。Micro LED顯示器具有自發光、高輝度、低耗電、像素可獨立控制及超高分辨率的特點。在此基礎上,結合納米布線技術,更可以將Micro LED顯示器制成柔性器件,從而應用到可穿戴設備上。隨著微型投影機和可穿戴設備上逐漸進入到現實的生產與生活中,Micro LED顯示器件的應用前景越來越廣泛,但隨之而來的,對Micro LED顯示器件的需求與要求也在逐漸提高,如要求Micro LED顯示器具有更高的分辨率、可實現全彩顯示、更加輕薄柔軟等。
目前基于Micro LED的微顯示應用主要為單色顯示,其可以通過相對簡單的對單色LED微芯片進行切割、轉移和貼合的技術途徑來實現,但要實現全彩顯示,來滿足實際應用的要求,技術上的難度將會大大增加。要實現全彩顯示Micro LED顯示器,目前有兩種可能的方案:第一種是分別制備出紅綠藍三基色的Micro LED微芯片,再分別轉移、貼合到TFT基板上形成圖案化,并利用IC電路單獨驅動和控制每一個Micro LED的發光行為,最終通過混色原理來實現全彩顯示。第二種方案是在藍光單色顯示的基礎上,利用光轉換材料,吸收陣列中對應芯片的藍光后分別發射紅光和綠光,來實現全彩顯示。
第一種方案工藝復雜,且技術難度大,不僅需分別制備不同光色的Micro LED,還需解決不同光色LED芯片巨量轉移到TFT基板上形成圖案化的困難,并且由于不同光色LED芯片的閾值電壓不同,還需分別使用不同的驅動電路來控制,會使得驅動電路變得更加復雜。
第二種方案的技術難度相對較低,困難主要在于:1、所需光轉化材料需滿足:尺寸在納米級別,能夠很好吸收LED芯片發射的藍光并分別高效轉化為紅、綠光,以及要有良好的穩定性;2、將紅、綠光轉換材料精確對位地貼合到芯片陣列中對應的藍光芯片上,形成特定排布圖案化。
發明內容
基于此,本發明的目的在于,提供一種量子點全彩微顯示器件的制備方法。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的:一種量子點全彩微顯示器件的制備方法,包括以下步驟:
S1:將多個藍光Micro LED芯片轉移至襯底上,形成藍光Micro LED芯片陣列;
S2:選取第一掩模板,所述第一掩模板具有形狀和面積大小與藍光Micro LED芯片一致的開口;將第一掩模板緊貼放置于藍光Micro LED芯片陣列上,使第一掩模板的開口位置和需要涂覆紅色量子點材料的藍光Micro LED芯片位置精準對位,形成第一空腔;
S3:將含有紅色量子點材料的樹脂膠水均勻涂覆于第一掩模板上,使其順著第一掩模板的開口流到需要涂覆紅色量子點材料的藍光Micro LED芯片上,填充第一空腔;
S4:對所述含有紅色量子點材料的樹脂膠水進行固化處理,得到紅色量子點膠層;
S5:選取第二掩模板,所述第二掩模板與第一掩模板完全一致;將第二掩模板緊貼放置于第一掩模板上,使第二掩模板的開口位置與第一掩模板的開口位置對齊,形成第二空腔;
S6:將疏油性樹脂膠水均勻涂覆于第二掩模板上,使其順著第二掩模板的開口流到紅色量子點膠層上,填充第二空腔;
S7:對所述疏油性樹脂膠水進行固化處理,得到覆蓋于紅色量子點膠層上的疏油性樹脂膠層;然后依次移去第二掩模板和第一掩模板;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





