[發明專利]一種量子點全彩微顯示器件的制備方法在審
| 申請號: | 201810438905.5 | 申請日: | 2018-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN108511390A | 公開(公告)日: | 2018-09-07 |
| 發明(設計)人: | 李陽;游寶貴 | 申請(專利權)人: | 廣東普加福光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77 |
| 代理公司: | 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425 | 代理人: | 潘雯瑛 |
| 地址: | 529000 廣東省江*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微顯示器件 量子點 全彩 制備 量子點材料 圖案化排布 全彩顯示 三色像素 樹脂膠水 掩模板 藍光 綠膠 涂覆 遮罩 固化 芯片 | ||
1.一種量子點全彩微顯示器件的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
S1:將多個藍光Micro LED芯片轉移至襯底上,形成藍光Micro LED芯片陣列;
S2:選取第一掩模板,所述第一掩模板具有形狀和面積大小與藍光Micro LED芯片一致的開口;將第一掩模板緊貼放置于藍光Micro LED芯片陣列上,使第一掩模板的開口位置和需要涂覆紅色量子點材料的藍光Micro LED芯片位置精準對位,形成第一空腔;
S3:將含有紅色量子點材料的樹脂膠水均勻涂覆于第一掩模板上,使其順著第一掩模板的開口流到需要涂覆紅色量子點材料的藍光Micro LED芯片上,填充第一空腔;
S4:對所述含有紅色量子點材料的樹脂膠水進行固化處理,得到紅色量子點膠層;
S5:選取第二掩模板,所述第二掩模板與第一掩模板完全一致;將第二掩模板緊貼放置于第一掩模板上,使第二掩模板的開口位置與第一掩模板的開口位置對齊,形成第二空腔;
S6:將疏油性樹脂膠水均勻涂覆于第二掩模板上,使其順著第二掩模板的開口流到紅色量子點膠層上,填充第二空腔;
S7:對所述疏油性樹脂膠水進行固化處理,得到覆蓋于紅色量子點膠層上的疏油性樹脂膠層;然后依次移去第二掩模板和第一掩模板;
S8:選取第三掩模板,所述第三掩模板具有形狀和面積大小與藍光Micro LED芯片一致的第一開口和第二開口;將第三掩模板緊貼放置于藍光Micro LED芯片陣列上,使第三掩模板的第一開口位置正好套住已經固化的紅色量子點膠層,第二開口位置和需要涂覆綠色量子點材料的藍光Micro LED芯片的位置精準對位,形成第三空腔;
S9:將含有綠色量子點材料的樹脂膠水均勻涂覆于第三掩模板上,使其順著第三掩模板的第二開口流到需要涂覆綠色量子點材料的藍光Micro LED芯片上,填充第三空腔;
S10:對所述含有綠色量子點材料的樹脂膠水進行固化處理,得到綠色量子點膠層;然后移去第三掩模板,除去覆蓋于紅色量子點膠層上的疏油性樹脂膠層,從而紅色量子點膠層、綠色量子點膠層以及未涂覆膠層的藍光Micro LED芯片形成圖案化的紅、綠、藍三色像素,制得量子點全彩微顯示器件。
2.根據權利要求1所述的量子點全彩微顯示器件的制備方法,其特征在于:所述掩模板是由因瓦合金、不銹鋼、石英、藍寶石、氮化硅中的一種或幾種制成的剛性模板,其厚度為10~500μm。
3.根據權利要求2所述的量子點全彩微顯示器件的制備方法,其特征在于:所述掩模板的開口圖案為長方形、正方形、圓形、三角形中的一種或幾種組合圖案,其邊長或直徑為1~200μm。
4.根據權利要求1所述的量子點全彩微顯示器件的制備方法,其特征在于:所述紅色或綠色量子點材料為第II-VI或III-V族半導體量子點材料;所述紅色量子點材料的發射波長為610~640nm,半峰寬40nm;所述綠色量子點材料的發射波長為510~540nm,半峰寬40nm。
5.根據權利要求4所述的量子點全彩微顯示器件的制備方法,其特征在于:所述含有紅色或綠色量子點材料的樹脂膠水通過以下方法制得:將紅色或綠色量子點材料分別溶解于溶劑中,再將溶解后的溶液分散于樹脂中,得到含有紅色或綠色量子點材料的樹脂膠水;所述樹脂為丙烯酸樹脂類、聚氨酯類、環氧樹脂類、硅膠類中的一種或幾種。
6.根據權利要求5所述的量子點全彩微顯示器件的制備方法,其特征在于:所述紅色或綠色量子點膠層的厚度為2~10μm。
7.根據權利要求1所述的量子點全彩微顯示器件的制備方法,其特征在于:所述疏油性樹脂膠水的單體組分為聚偏氟乙烯樹脂類、丙烯酸樹脂類、聚氨酯類、環氧樹脂類、硅膠類中的一種或幾種。
8.根據權利要求7所述的量子點全彩微顯示器件的制備方法,其特征在于:所述疏油性樹脂膠層的厚度為1~5μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





