[發明專利]圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法

在審

• 申請號: 201810434472.6
• 申請日: 2018-05-09
• 公開（公告）號: CN108649044A
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 黃增智;龍海鳳;李天慧;黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 田菁

本公開涉及一種圖像傳感器，包括釘扎光電二極管，所述釘扎光電二極管包括形成在第二導電類型的半導體材料層中的第一導電類型的第一區域和第二導電類型的第二區域，其中，所述第一區域和所述第二區域的接觸表面為凹凸不平的表面。本公開還涉及一種形成圖像傳感器的方法。本公開能提高釘扎光電二極管的電荷容量。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，具體來說，涉及一種圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法。

背景技術

圖像傳感器廣泛應用于各種成像。隨著人們對成像精度的要求不斷提高，圖像傳感器的像素尺寸不斷減小，伴隨而來的是光收集能力和電荷存儲能力的下降。

因此，存在對新技術的需求。

發明內容

本公開的一個目的是提供一種新的圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法。

根據本公開的第一方面，提供了一種圖像傳感器，包括釘扎光電二極管，所述釘扎光電二極管包括形成在第二導電類型的半導體材料層中的第一導電類型的第一區域和第二導電類型的第二區域，其中，所述第一區域和所述第二區域的接觸表面為凹凸不平的表面。

根據本公開的第二方面，提供了一種形成圖像傳感器的方法，包括：在第二導電類型的半導體材料層中，形成第一導電類型的第一區域；以及在所述半導體材料層中、在所述第一區域之上，形成第二導電類型的第二區域，從而形成釘扎光電二極管，其中，所述第一區域和所述第二區域的接觸表面為凹凸不平的表面。

通過以下參照附圖對本公開的示例性實施例的詳細描述，本公開的其它特征及其優點將會變得清楚。

附圖說明

構成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。

參照附圖，根據下面的詳細描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：

圖1是示意性地示出根據本公開的一個實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖2是示意性地示出根據本公開的一個實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖3是示意性地示出根據本公開的一個實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖4是示意性地示出根據本公開的一個實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖5是示意性地示出根據本公開的一個實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖6是示意性地示出根據本公開的一個實施例的圖像傳感器的結構的示意圖。

圖7A至7F是分別示意性地示出了在根據本公開一個示例性實施例來形成圖像傳感器的一個方法示例的一些步驟處的圖像傳感器的截面的示意圖。

圖8A至8E是分別示意性地示出了在根據本公開一個示例性實施例來形成圖像傳感器的一個方法示例的一些步驟處的圖像傳感器的截面的示意圖。

圖9A至9G是分別示意性地示出了在根據本公開一個示例性實施例來形成圖像傳感器的一個方法示例的一些步驟處的圖像傳感器的截面的示意圖。

注意，在以下說明的實施方式中，有時在不同的附圖之間共同使用同一附圖標記來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重復說明。在本說明書中，使用相似的標號和字母表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。

為了便于理解，在附圖等中所示的各結構的位置、尺寸及范圍等有時不表示實際的位置、尺寸及范圍等。因此，所公開的發明并不限于附圖等所公開的位置、尺寸及范圍等。

具體實施方式