[發(fā)明專利]圖像傳感器及形成圖像傳感器的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810434472.6
• 申請日: 2018-05-09
• 公開（公告）號: CN108649044A
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃增智;龍海鳳;李天慧;黃曉櫓
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 田菁

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括釘扎光電二極管，所述釘扎光電二極管包括形成在第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材料層中的第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)域和第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)域，其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的接觸表面為凹凸不平的表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第二區(qū)域包括具有第一厚度的多個第一部分和具有第二厚度的一個或多個第二部分，所述第一厚度不等于所述第二厚度，其中，在與所述圖像傳感器的主表面平行的平面圖中，所述第一部分和所述第二部分間隔排列。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第二區(qū)域包括具有第一厚度的一個或多個第一部分和具有第二厚度的第二部分，所述第一厚度不等于所述第二厚度，其中，在與所述圖像傳感器的主表面平行的平面圖中，所述第二部分圍繞所述第一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一厚度和所述第二厚度中較小的一個的范圍為較大的一個的范圍為

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分的摻雜濃度相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第二區(qū)域的摻雜濃度高于所述第一區(qū)域的摻雜濃度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第二區(qū)域的摻雜濃度的范圍為1×10¹⁷cm^-3～1×10²⁰cm^-3。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器還包括形成在所述半導(dǎo)體材料層中的浮置擴(kuò)散區(qū)，其中，所述浮置擴(kuò)散區(qū)和所述半導(dǎo)體材料層的接觸表面為凹凸不平的表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器，其特征在于，所述浮置擴(kuò)散區(qū)包括具有第三厚度的多個第三部分和具有第四厚度的一個或多個第四部分，所述第三厚度不等于所述第四厚度，其中，在與所述圖像傳感器的主表面平行的平面圖中，所述第三部分和所述第四部分間隔排列。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器，其特征在于，所述浮置擴(kuò)散區(qū)包括具有第三厚度的一個或多個第三部分和具有第四厚度的第四部分，所述第三厚度不等于所述第四厚度，其中，在與所述圖像傳感器的主表面平行的平面圖中，所述第三部分圍繞所述第四部分。