[發明專利]蝕刻液組合物

有效

• 申請號: 201810433733.2
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN108950556B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 劉仁浩;金寶衡;南基龍;金相泰;樸英哲;林大成
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23C14/58
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;宋海花

本發明提供一種蝕刻液組合物，其特征在于，包含過硫酸鹽、無機酸、環狀胺化合物、有機酸、有機酸鹽、氨基磺酸、甘氨酸和水，相對于蝕刻液組合物整體100重量％，上述氨基磺酸的含量為0.1～6重量％，上述甘氨酸的含量為0.1～5重量％，本發明的蝕刻液組合物能夠選擇性蝕刻銅系金屬膜。

技術領域

本發明涉及能夠選擇性蝕刻銅系金屬膜的蝕刻液組合物。

背景技術

為了平板顯示器的圖像呈現，使用TFT(Thin Film Transistor(薄膜晶體管))陣列透明像素電極、柵電極、源電極和漏電極。通常，作為像素電極，使用以銦為主成分的透明導電膜，作為柵電極、源電極和漏電極，使用以Cu、Cr、Mo、Ti、Al等為主成分的單層膜或多層膜。

近年來，為了將生產工序而提高生產量，開發了在最下部蒸鍍作為銦系透明導電膜的IZO(銦鋅氧化物)作為柵極(Gate)配線，且在其上由銅系金屬膜形成新的數據(Data)配線。此時，為了蝕刻上述柵極配線，應當不蝕刻最下部的IZO薄膜，而是僅選擇性蝕刻處于其上的銅系金屬膜。

韓國公開專利第2012-0138290號涉及一種蝕刻液組合物、利用其的金屬配線和薄膜晶體管基板的形成方法，并且公開了如下涉及蝕刻液組合物的內容，即相對于蝕刻液組合物總重量，包含0.5重量％～20重量％的過硫酸鹽、0.01重量％～2重量％的氟化合物、1重量％～10重量％的無機酸、0.5重量％～5重量％的環狀胺化合物、0.1重量％～10.0重量％的磺酸、0.1重量％～10重量％的有機酸及其鹽中的至少一種、以及使整體組合物的總重量成為100重量％的水。

但是，在使用上述文獻的蝕刻液組合物的情況下，因氟化合物而可能會對IZO薄膜造成損傷而在僅選擇性蝕刻銅系金屬膜方面存在困難，且存在處理張數特性不佳的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：韓國公開專利第10-2012-0138290號(2012.12.26)

發明內容

所要解決的課題

本發明的目的在于提供能夠不對IZO薄膜造成蝕刻損傷而僅選擇性蝕刻銅系金屬膜的蝕刻液組合物。

此外，本發明的目的在于提供處理張數特性提高了的蝕刻液組合物。

解決課題的方法

用于達成上述目的的本發明的蝕刻液組合物包含過硫酸鹽、無機酸、環狀胺化合物、有機酸、有機酸鹽、氨基磺酸、甘氨酸和水，相對于蝕刻液組合物整體100重量％，上述氨基磺酸的含量為0.1～6重量％，上述甘氨酸的含量為0.1～5重量％。

發明效果

本發明的蝕刻液組合物不包含對IZO薄膜造成影響的成分，因此具有不對IZO薄膜造成蝕刻損傷并且能夠僅選擇性蝕刻銅配線的優點。

此外，本發明的蝕刻液組合物由于包含特定成分，因此具有與以往的蝕刻液相比處理張數特性提高而能夠在更長的工序時間維持期望的銅膜的蝕刻形狀的優點。

附圖說明

圖1(a)和圖1(b)是示出實施例和比較例的IZO單層膜損傷測試結果的圖。

圖2是示出隨處理張數變化的錐角的變化的圖。

圖3是隨處理張數變化的側蝕變化的圖。

具體實施方式

以下，對本發明更詳細地說明。

本發明中，當指出某一構件位于另一構件“上”時，其不僅包括某一構件與另一構件接觸的情況，還包括兩構件之間存在其他構件的情況。