[發明專利]一種帶隙基準電壓二階補償電路

有效

• 申請號: 201810433620.2
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN108508952B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 茍超;孫毛毛;梁盛銘;王菡;李鵬;羅凱;劉一杉
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

本發明涉及一種帶隙基準電壓二階補償電路，屬于集成電路設計領域，該補償電路包括運算放大器OP1，雙極晶體管Q1～Q4，電阻R1～R7；運算放大器OP1的正向輸入端連接雙極晶體管Q3的集電極，運算放大器OP1的反向輸入端連接雙極晶體管Q2的集電極，運算放大器OP1的輸出端連接雙極晶體管Q1的基極；雙極晶體管Q1的集電極連接電源VDD，發射極分別通過電阻R1、電阻R2連接至運算放大器OP1的反向輸入端和正向輸入端；雙極晶體管Q1的發射極還連接至雙極晶體管Q4的基極；雙極晶體管Q2的發射極通過電阻R4和電阻R5串聯接地，雙極晶體管Q3的發射極通過電阻R5接地；雙極晶體管Q4的發射極經過電阻R7接地。本發明電路結構簡單、設計復雜度低且成本低。

技術領域

本發明屬于集成電路設計領域，涉及一種帶隙基準電壓二階補償電路。

背景技術

電壓基準電路是集成電路的基礎模塊，為集成電路中其他模塊提供基準電壓。帶隙基準電路因其高精度、高穩定性等優點，成為使用最廣泛的一種電壓基準電路。

傳統帶隙基準電路采用一階補償的方式，其輸出電壓能夠達到20～100ppm/℃的溫度系數，如果要進一步降低溫度系數，那么必須考慮進行二階補償。現有的一種二階補償電路原理為在傳統帶隙基準電路的基礎上增加非線性修正項。這就要先產生一個非線性的電流I_NL，如圖1所示，該電流的產生比較復雜，需要使用較多的器件，占用較大的芯片面積。此外，較多的電流支路也增加了電路的功耗。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種帶隙基準電壓二階補償電路，精簡電路結構、降低功耗。

為達到上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種帶隙基準電壓二階補償電路，該補償電路包括運算放大器OP1，雙極晶體管Q1～Q4，電阻R1～R7；

所述運算放大器OP1的正向輸入端連接雙極晶體管Q3的集電極，運算放大器OP1的反向輸入端連接雙極晶體管Q2的集電極，運算放大器OP1的輸出端連接雙極晶體管Q1的基極；

雙極晶體管Q1的集電極連接電源VDD，發射極分別通過電阻R1、電阻R2連接至運算放大器OP1的反向輸入端和正向輸入端；

雙極晶體管Q1的發射極還通過電阻R3和電阻R6接地，所述雙極晶體管Q2和雙極晶體管Q3的基極相互連接后連接至電阻R3和電阻R6之間，所述雙極晶體管Q1的發射極還連接至雙極晶體管Q4的基極；

所述雙極晶體管Q2的發射極通過電阻R4和電阻R5串聯接地，所述雙極晶體管Q3的發射極通過電阻R5接地；

所述雙極晶體管Q4的發射極經過電阻R7接地。

進一步，還包含雙極晶體管Q5，MOS管M1、M2、M7，電阻R8、電阻R9和反相器I1、I2；

雙極晶體管Q4的集電極連接MOS管M1的柵極和漏極以及MOS管M2的柵極；MOS管M1、MOS管M2的源極均連接到電源VDD；

MOS管M2的漏極通過電阻R8和電阻R9串聯接地，MOS管M2的漏極還連接到雙極晶體管Q5的基極；

雙極晶體管Q5的發射極接地，基極連接至所述MOS管M2的漏極，雙極晶體管Q5的集電極連接至所述反相器I1的輸入端；

所述反相器I1的輸出端連接至反相器I2的輸入端，所述反相器I2的輸出端連接至MOS管M7的柵極，MOS管M7的源極接地，漏極通過電阻R9接地。

進一步，還包括MOS管M3，M4，M5，M6；