[發明專利]一種帶隙基準電壓二階補償電路有效
| 申請號： | 201810433620.2 | 申請日： | 2018-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN108508952B | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 茍超;孫毛毛;梁盛銘;王菡;李鵬;羅凱;劉一杉 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十四研究所 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275 | 代理人： | 趙榮之 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基準 電壓 補償 電路 | ||
1.一種帶隙基準電壓二階補償電路，其特征在于：
該電路包括：傳統一階補償帶隙基準電路、過溫保護電路和二階補償電路；
傳統一階補償帶隙基準電路，包括運算放大器OP1，雙極晶體管Q1～Q3，電阻R1～R6；
其中，OP1正向輸入端連接Q3的集電極和R2的一端，OP1反向輸入端連接Q2的集電極和R1的一端，OP1輸出端連接Q1的基極；Q1的集電極連接電源VDD，發射極連接R1的另一端、R2的另一端、R3的一端以及過溫保護電路中雙極晶體管Q4的基極；Q2的基極與Q3的基極相連，同時連接到R3的另一端、R6的一端，Q2的發射極連接R4的一端；Q3的發射極連接R4的另一端和R5的一端；R6的另一端和R5的另一端均連接到地；
過溫保護電路，包括雙極晶體管Q4、Q5，MOS晶體管M1、M2、M4、M6、M7，電阻R7～R9，反相器I1、I2；其中，Q4的發射極連接R7的一端，集電極連接M1的柵極和漏極以及M2、M4的柵極，同時連接到二階補償電路中M3的柵極；R7的另一端連接到地；M1、M2、M4的源極均連接到電源VDD；M2的漏極連接到R8的一端和Q5的基極；M4的漏極連接M6的源極；R8的另一端連接到R9的一端和M7的漏極；Q5的集電極連接到M6的柵極和漏極、二階補償電路中M5的柵極以及I1的輸入端；R9的另一端連接到地；M7的源極連接到地，柵極連接I2的輸出端；I1的輸出端連接I2的輸入端；
二階補償電路，包括MOS晶體管M3和M5；其中，M3的源極連接到電源VDD，漏極連接到M5的源極；MOS晶體管M5的漏極連接到Q3的發射極。
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