[發明專利]晶體管結構、存儲器結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201810433131.7
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN108389837B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種晶體管結構的制備方法，其特征在于，所述晶體管結構包括如下步驟：

1)提供一半導體襯底，并于所述半導體襯底內形成溝槽結構；

2)采用原子層沉積工藝于所述溝槽結構的底部及側壁形成第一柵氧化層，位于所述溝槽結構底部的所述第一柵氧化層與位于所述溝槽結構側壁的所述第一柵氧化層具有概呈相同的厚度；

3)采用原位水汽生成工藝于所述第一柵氧化層表面形成第二柵氧化層，位于所述溝槽結構底部的所述第二柵氧化層的厚度小于位于所述溝槽結構側壁的所述第二柵氧化層的厚度；所述第一柵氧化層與所述第二柵氧化層共同構成一雙層結構的柵氧化層；

4)于所述柵氧化層的底部及局部側壁形成導電層，其中，所述導電層的頂端低于所述半導體襯底的上表面；

5)于所述溝槽結構內形成填孔絕緣層，所述填孔絕緣層填滿所述溝槽結構；及，

6)于所述溝槽結構兩側的所述半導體襯底內分別形成源區及漏區。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中形成的所述第一柵氧化層的厚度介于40埃～50埃；步驟3)中形成的位于所述溝槽結構側壁的所述第二柵氧化層的厚度介于80埃～100埃；步驟3)中形成的位于所述溝槽結構底部的所述第二柵氧化層的厚度介于0.01埃～20埃。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟3)后形成的位于所述溝槽結構底部的所述柵氧化層的厚度介于50埃～60埃。

4.一種晶體管結構，其特征在于，所述晶體管結構包括：

半導體襯底，具有位于所述半導體襯底內的溝槽結構且所述半導體襯底的材料包括單晶或多晶半導體材料；

第一柵氧化層，位于所述溝槽結構的底部及側壁，且位于所述溝槽結構底部的所述

第一柵氧化層與位于所述溝槽結構側壁的所述第一柵氧化層具有概呈相同的厚度；

第二柵氧化層，位于所述第一柵氧化層表面，且位于所述溝槽結構底部的所述第二柵氧化層的厚度小于位于所述溝槽結構側壁的所述第二柵氧化層的厚度；所述第一柵氧化層與所述第二柵氧化層共同構成一雙層結構的柵氧化層；

導電層，位于所述柵氧化層的底部及局部側壁，其中，所述導電層的頂端低于所述半導體襯底的上表面；及，

填孔絕緣層，填充于所述溝槽結構內，且填滿所述溝槽結構；

其中，所述半導體襯底還形成有源區和漏區，所述源區位于所述溝槽結構一側的所述半導體襯底內，所述漏區位于所述溝槽結構另一側的所述半導體襯底內。

5.根據權利要求4所述的結構，其特征在于，位于所述溝槽結構底部的所述第二柵氧化層的厚度還小于位于所述溝槽結構底部的所述第一柵氧化層的厚度。

6.根據權利要求4所述的結構，其特征在于，所述第一柵氧化層的厚度介于40埃～50埃，位于所述溝槽結構側壁的所述第二柵氧化層的厚度介于80埃～100埃，位于所述溝槽結構底部的所述第二柵氧化層的厚度介于0.01埃～20埃。

7.根據權利要求4至6中任一項所述的結構，其特征在于，所述溝槽結構底部的所述柵氧化層的厚度介于50埃～60埃。