[發明專利]柵極環繞納米片場效應晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201810432176.2
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN108878277B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發明（設計）人: 馬克·S·羅德爾;洪俊顧
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;B82Y40/00
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

1.一種柵極環繞納米片場效應晶體管，其特征在于，包括：

源極電極；

漏極電極；

多個溝道區，在所述源極電極與所述漏極電極之間延伸；

柵極堆疊，位于所述源極電極與所述漏極電極之間以及所述多個溝道區中的兩個相鄰的溝道區之間；以及

一對反向內部間隔物，位于所述兩個相鄰的溝道區之間，

其中所述源極電極及所述漏極電極各自包括第一部分及第二部分，所述第一部分包括垂直側壁部分及在所述兩個相鄰的溝道區之間從所述垂直側壁部分延伸的側向延伸部分，

其中所述一對反向內部間隔物的每一個反向內部間隔物包括第一內部間隔物段及第二內部間隔物段，所述第二內部間隔物段在垂直方向上通過所述源極電極的所述側向延伸部分或所述漏極電極的所述側向延伸部分中的一者而與所述第一內部間隔物段間隔開，且

其中所述反向內部間隔物中的每一者的所述第一內部間隔物段及所述第二內部間隔物段與所述源極電極的所述第一部分及所述漏極電極的所述第一部分中的一者的所述垂直側壁部分相鄰。

2.根據權利要求1所述的柵極環繞納米片場效應晶體管，其特征在于，所述源極電極及所述漏極電極中的每一者包含實質上不含有缺陷的晶體材料。

3.根據權利要求1所述的柵極環繞納米片場效應晶體管，其特征在于，所述源極電極的所述第一部分及所述漏極電極的所述第一部分包含未經摻雜的Si。

4.根據權利要求1所述的柵極環繞納米片場效應晶體管，其特征在于，所述源極電極的所述第二部分及所述漏極電極的所述第二部分包含經摻雜的Si。

5.根據權利要求1所述的柵極環繞納米片場效應晶體管，其特征在于，所述側向延伸部分具有2nm到10nm的側向長度及2nm到6nm的高度。

6.根據權利要求5所述的柵極環繞納米片場效應晶體管，其特征在于，所述第一內部間隔物段及所述第二內部間隔物段中的每一者具有小于或實質上等于所述側向延伸部分的側向長度的側向長度，且其中所述反向內部間隔物中的每一者的所述第一內部間隔物段與所述第二內部間隔物段之間的垂直間距實質上等于所述側向延伸部分的高度。

7.根據權利要求1所述的柵極環繞納米片場效應晶體管，其特征在于，所述反向內部間隔物中的每一者包含選自由氧化物材料及氮化物材料組成的材料群組的介電材料，且其中所述介電材料具有介于2到8之間的K值。

8.根據權利要求1所述的柵極環繞納米片場效應晶體管，其特征在于，

所述兩個相鄰的溝道區之間的垂直間距為8nm到20nm，

所述兩個相鄰的溝道區中的每一者的寬度為6nm到60nm，且

所述兩個相鄰的溝道區中的每一者的厚度為3nm到8nm。

9.根據權利要求1所述的柵極環繞納米片場效應晶體管，其特征在于，所述柵極環繞納米片場效應晶體管選自由nMOS?FET、pMOS?FET及其組合組成的群組。