[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶圓的清洗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810431454.2 | 申請日: | 2018-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN108597987A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 翁國權(quán) | 申請(專利權(quán))人: | 廣西桂芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 530007 廣西壯族自治*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體晶圓 清洗 控制系統(tǒng) 清洗室 觸控面板 傳動系統(tǒng) 烘干室 加酸 自動化清洗 清洗效果 清洗裝置 有效解決 良品率 最大化 申請 應(yīng)用 | ||
本申請公開了一種半導(dǎo)體晶圓的清洗方法,包括清洗室、快排快沖室、烘干室、傳動系統(tǒng)、加酸箱、控制系統(tǒng)和觸控面板,傳動系統(tǒng)分別與控制系統(tǒng)、清洗室、快排快沖室和烘干室連接,加酸箱與清洗室連接,控制系統(tǒng)與觸控面板連接。該清洗裝置集成了半導(dǎo)體晶圓的清洗所需要的幾乎所有功能,降低手工參與的頻率,最大化地實現(xiàn)自動化清洗,有效解決目前清洗存在的各種問題,而且對半導(dǎo)體晶圓的清洗效果好、清洗良品率高,有很好的應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種半導(dǎo)體晶圓的清洗方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體IC制程主要以20世紀50年代以后發(fā)明的四項基礎(chǔ)工藝(離子注入、擴散、外延生長及光刻)為基礎(chǔ)逐漸發(fā)展起來,由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當微細,因此制造過程中,如果遭到塵粒、金屬的污染,很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞,形成短路或斷路等,導(dǎo)致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外,集成電路制造步驟如高溫擴散、離子植入前等均需要進行濕法清洗或干法清洗工作。干、濕法清洗工作是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下,有效地使用化學(xué)溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機物之雜質(zhì)。
自動清洗設(shè)備與手動清洗機相比,具有自動化程度高,操作安全方便,工藝一致性保證,系統(tǒng)可靠性好等優(yōu)點。但自動設(shè)備在清洗后,其污染物的去除效果不是很好。
發(fā)明內(nèi)容
本申請的目的是提供一種半導(dǎo)體晶圓的清洗方法,提高對半導(dǎo)體晶圓表面的污染物的清洗效果,具備較好的市場應(yīng)用前景。
本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的:
一種半導(dǎo)體晶圓的清洗方法,利用半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備對半導(dǎo)體晶圓進行清洗,半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備包括清洗室、快排快沖室、烘干室、傳動系統(tǒng)、加酸箱、控制系統(tǒng)、觸控面板和片盒,傳動系統(tǒng)分別與片盒、控制系統(tǒng)、清洗室、快排快沖室和烘干室連接,加酸箱與清洗室連接,控制系統(tǒng)與觸控面板連接;
清洗室內(nèi)設(shè)有加熱器、溫度傳感器、液位傳感器和酸水排放管道,加熱器置于清洗室底部,酸水排放管道設(shè)有酸水排放閥,加熱器、溫度傳感器、液位傳感器和酸水排放閥分別與控制系統(tǒng)連接;
快排快沖室內(nèi)設(shè)有水箱、交叉噴淋管路和排水管,排水管上設(shè)有水排放閥,交叉噴淋管路的出水口設(shè)有霧化噴頭,霧化噴頭和水排放閥與控制系統(tǒng)連接;水箱儲存有去離子水,在去離子水的噴淋過程中,控制系統(tǒng)能夠控制霧化噴頭對沖洗水壓、水量、方向和角度作出調(diào)整測試,以達到微粒污染少的最佳效果。噴淋范圍涵蓋全部半導(dǎo)體晶圓及片盒。
烘干室內(nèi)頂部設(shè)有風(fēng)機,底部為出風(fēng)口,尾部設(shè)有出口,風(fēng)機與控制系統(tǒng)連接;
加酸箱出口設(shè)有流量閥,流量閥與控制系統(tǒng)連接;
清洗方法包括以下步驟:
(1)根據(jù)半導(dǎo)體晶圓的類型,在觸控面板設(shè)置控制系統(tǒng)參數(shù),將半導(dǎo)體晶圓放入片盒,啟動半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備;
(2)傳動系統(tǒng)將片盒傳送至清洗室,控制系統(tǒng)打開加酸箱的流量閥,在清洗室對半導(dǎo)體晶圓進行清洗;
(3)清洗完畢,控制系統(tǒng)關(guān)閉加酸箱的流量閥,并打開清洗室的酸水排放閥將廢酸排出,并發(fā)出信號控制傳動系統(tǒng)將清洗完全的半導(dǎo)體晶圓傳送至快沖快排室;
(4)控制系統(tǒng)根據(jù)步驟(1)的參數(shù)設(shè)定,控制霧化噴頭對半導(dǎo)體晶圓進行沖洗,沖洗完畢后,控制系統(tǒng)關(guān)閉霧化噴頭工作,同時打開排水管上的水排放閥,并發(fā)出信號控制傳動系統(tǒng)將清洗完全的半導(dǎo)體晶圓傳送至烘干室;
(5)控制系統(tǒng)控制風(fēng)機工作,將片盒及內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓吹干,并將吹干后的片盒傳送到烘干室的出口,控制系統(tǒng)停止工作。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣西桂芯半導(dǎo)體科技有限公司,未經(jīng)廣西桂芯半導(dǎo)體科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810431454.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





