[發明專利]半導體晶圓的清洗方法

在審

• 申請號: 201810431454.2
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN108597987A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 翁國權
• 申請（專利權）人: 廣西桂芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：利用半導體晶圓清洗設備對半導體晶圓進行清洗，半導體晶圓清洗設備包括清洗室、快排快沖室、烘干室、傳動系統、加酸箱、控制系統、觸控面板和片盒，傳動系統分別與片盒、控制系統、清洗室、快排快沖室和烘干室連接，加酸箱與清洗室連接，控制系統與觸控面板連接；

清洗室內設有加熱器、溫度傳感器、液位傳感器和酸水排放管道，加熱器置于清洗室底部，酸水排放管道設有酸水排放閥，加熱器、溫度傳感器、液位傳感器和酸水排放閥分別與控制系統連接；

快排快沖室內設有水箱、交叉噴淋管路和排水管，排水管上設有水排放閥，交叉噴淋管路的出水口設有霧化噴頭，霧化噴頭和水排放閥與控制系統連接；

烘干室內頂部設有風機，底部為出風口，尾部設有出口，風機與控制系統連接；

加酸箱出口設有流量閥，流量閥與控制系統連接；

清洗方法包括以下步驟：

（1）根據半導體晶圓的類型，在觸控面板設置控制系統參數，將半導體晶圓放入片盒，啟動半導體晶圓清洗設備；

（2）傳動系統將片盒傳送至清洗室，控制系統打開加酸箱的流量閥，在清洗室對半導體晶圓進行清洗；

（3）清洗完畢，控制系統關閉加酸箱的流量閥，并打開清洗室的酸水排放閥將廢酸排出，并發出信號控制傳動系統將清洗完全的半導體晶圓傳送至快沖快排室；

（4）控制系統根據步驟（1）的參數設定，控制霧化噴頭對半導體晶圓進行沖洗，沖洗完畢后，控制系統關閉霧化噴頭工作，同時打開排水管上的水排放閥，并發出信號控制傳動系統將清洗完全的半導體晶圓傳送至烘干室；

（5）控制系統控制風機工作，將片盒及內的半導體晶圓吹干，并將吹干后的片盒傳送到烘干室的出口，控制系統停止工作。

2.根據權利要求1所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：當半導體晶圓清洗設備發生故障時，控制系統報警，觸控面板上顯示出錯信息，這時控制系統控制所有動作停止；排除故障后，觸控面板上設有復位按鈕，按下后可恢復初始狀態。

3.根據權利要求1所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述觸控面板為人機界面，是一種可接收觸頭輸入訊號的感應式液晶顯示裝置。

4.根據權利要求1所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述控制系統為集成電路、PLC控制器或單片機。

5.根據權利要求1所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述控制系統設有工作指示燈和故障指示燈。

6.根據權利要求1所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述控制系統設有蜂鳴器。

7.根據權利要求1所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述清洗室內表面為石英體。

8.根據權利要求1所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述加熱器所有的加熱絲及其導線都是用PFA包裹。

9.根據權利要求1所述的半導體晶圓的清洗方法，其特征在于：所述傳動系統包括變頻電機、減速器、導軌和齒輪齒條，變頻電機和減速器與控制系統連接。