[發(fā)明專利]一種磁光克爾信號測量裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810429161.0
• 申請日: 2018-04-24
• 公開（公告）號: CN108414953A
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發(fā)明（設計）人: 傅晶晶
• 申請（專利權）人: 金華職業(yè)技術學院
• 主分類號: G01R33/032
• 分類號: G01R33/032;G01R33/12;G01Q60/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及材料表面磁性測量領域，一種磁光克爾信號測量裝置，包括激光器、偏振控制器、隔離器、保偏環(huán)形器、偏振器、保偏光纖I、電光調制器、保偏光纖II、非球面鏡、1/4波片、透鏡臺、原子力顯微鏡、探針、樣品、磁體、樣品臺、電源、光電探測器、信號發(fā)生器、功率分配器I、計算機、低通濾波器、鎖相放大器I、倍頻器、功率分配器II、鎖相放大器II、入射光路及反射光路，保偏光纖I的慢軸與電光調制器的橫磁模成45度角，保偏光纖II的慢軸與電光調制器的橫磁模方向平行，1/4波片的慢軸與保偏光纖II的慢軸成45度角，本發(fā)明采用同一束光的兩個正交偏振分量干涉的方法來獲得樣品的克爾角信息，減少非磁性效應比和線性二色性對測量準確性的影響。

技術領域

本發(fā)明涉及材料表面磁性測量領域，尤其是一種采用單光束干涉方法來研究材料表面磁光克爾信號的一種磁光克爾信號測量裝置。

背景技術

磁光克爾效應測量裝置是材料表面磁性研究中的一種重要手段，其工作原理是基于由光與磁化介質間相互作用而引起的磁光克爾效應，其不僅能夠進行單原子層厚度材料的磁性檢測，而且可實現(xiàn)非接觸式測量，在磁性超薄膜的磁有序、磁各向異性、層間耦合和磁性超薄膜的相變行為等方面的研究中都有重要應用。磁光克爾效應測量裝置主要是通過檢測一束線偏振光在材料表面反射后的偏振態(tài)變化引起的光強變化進行樣品表面的磁化觀測。現(xiàn)有技術缺陷一：在克爾角測量實驗中，某些非磁性效應比如線性雙折射和線性二色性會影響測量的準確性，同時會影響光的偏振態(tài)，這些效應不僅由于樣品而產生，也來自于裝置本身；現(xiàn)有技術缺陷二：現(xiàn)有技術中的克爾角測量實驗通常采用的是光束在大氣中的光學元件之間傳播的方案，容易受到光學元件的位置偏差的影響，影響信號的精度；現(xiàn)有技術缺陷三：傳統(tǒng)的近場克爾顯微鏡探測的樣品表面局域區(qū)域的光強較弱，導致信噪比較低，所述一種磁光克爾信號測量裝置能解決問題。

發(fā)明內容

為了解決上述問題，本發(fā)明采用同一束光的兩個正交偏振分量干涉的方法來獲得樣品的克爾角的信息，并使得主要光路都在光纖中，減少光路中的光學元件，提高了信噪比；另外，本發(fā)明裝置采用具有通孔的原子力顯微鏡探針，能夠得到樣品表面納米尺度結構的磁化特征。

本發(fā)明所采用的技術方案是：