[發明專利]導電結構的加工方法

在審

• 申請號: 201810427943.0
• 申請日: 2018-05-07
• 公開（公告）號: CN108793064A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 呂麗英;王紹全;鐘曉輝;黎家健;吳健興
• 申請（專利權）人: 瑞聲科技（新加坡）有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所 44298
• 代理人: 陳巍巍

本發明提供了一種導電結構的加工方法，包括如下步驟：從所述第一表面通過干法蝕刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；從所述第二表面對所述凹槽進行延伸直到形成貫穿所述硅基底的通孔；在所述通孔內加工導電結構。其可以應用在厚度大于300μm的硅基底上，突破了現有技術在可加工厚度上的限制，而且可以在硅基底的兩側均實現電性連接，方法簡單，可靠性高，且加工效率高，便于機械化生產。

技術領域

本發明涉及傳感器領域，尤其涉及一種導電結構的加工方法。

背景技術

基于MEMS(Microelectromechanical Systems，微機電系統)技術的傳感器在社會生產生活中具有廣泛的應用，包括超聲加工、超聲定位、超聲探測、超聲成像等各方面。

MEMS傳感器等在制備時為了實現電性連接，通常采用在硅基底的兩側設置鋁制的導電端，進一步的，需要在硅基底上加工導電通孔，并在導電通孔內填充導電材料完成典型連接，現有的加工通孔的方法主要采用機械鉆眼或濕法化學蝕刻，然而，機械鉆眼不方便工業化生產，濕法化學蝕刻僅適用于厚度小于100μm的較薄的基底。

因此，實有必要提供一種新的導電結構的加工方法以解決上述問題。

發明內容

本發明提供一種導電結構的加工方法，其可以突破硅基底厚度的限制，便于機械化生產，能夠有效提高生產效率。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種導電結構的加工方法，所述硅基底包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面與所述第二表面之間的厚度大于300μm，所述導電結構的加工方法包括如下步驟：

步驟S1：從所述第一表面通過干法蝕刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；

步驟S2：從所述第二表面對所述凹槽進行延伸直到形成貫穿所述硅基底的通孔；

步驟S4：在所述通孔內加工導電結構。

優選的，所述步驟S1包括如下步驟：

步驟S11：在所述硅基底的第一表面上形成圖案，在不需要加工通孔的部位設置保護層；

步驟S12在未設置保護層的部位通過干法蝕刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽。

優選的，步驟S1和步驟S2之間還包括步驟S13：在所述第一表面和所述第二表面通過氧化形成氧化層，所述氧化層延伸至所述凹槽內部形成阻擋層。

優選的，所述步驟S2和所述步驟S4之間還包括步驟S3，對通孔進行處理，去除所述通孔內的氧化層。

優選的，步驟S3為采用濕法氧化法去除通孔內的氧化層。

優選的，所述步驟S4包括：

步驟S41：在通孔內沉積摻雜多晶硅；

步驟S42：在所述第一表面和所述第二表面加工第一鋁導電層和第二鋁導電層；

步驟S43：在所述第一鋁導電層和/或所述第二鋁導電層上加工圖案以形成導電結構。

優選的，所述步驟S41包括：

步驟S411：對加工有通孔的硅基底沉積摻雜多晶硅；

步驟S412：除去第一表面和所述第二表面上沉積的摻雜多晶硅。

優選的，所述步驟S412為采用CMP混合指示劑除去摻雜多晶硅。

優選的，步驟S42還包括預處理所述硅基底的表面。

優選的，步驟S43包括：