[發(fā)明專利]導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810427943.0 | 申請日： | 2018-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN108793064A | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂麗英;王紹全;鐘曉輝;黎家健;吳健興 | 申請（專利權(quán)）人： | 瑞聲科技（新加坡）有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 廣東廣和律師事務(wù)所 44298 | 代理人： | 陳巍巍 |
| 地址： | 新加坡卡文迪*** | 國省代碼： | 新加坡;SG |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 硅基 第二表面 第一表面 加工 通孔 機(jī)械化生產(chǎn) 電性連接 干法蝕刻 加工效率 凹陷 貫穿 延伸 應(yīng)用 | ||
1.一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述硅基底包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面與所述第二表面之間的厚度大于300μm，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法包括如下步驟：
步驟S1：從所述第一表面通過干法蝕刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；
步驟S2：從所述第二表面對所述凹槽進(jìn)行延伸直到形成貫穿所述硅基底的通孔；
步驟S4：在所述通孔內(nèi)加工導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述步驟S1包括如下步驟：
步驟S11：在所述硅基底的第一表面上形成圖案，在不需要加工通孔的部位設(shè)置保護(hù)層；
步驟S12在未設(shè)置保護(hù)層的部位通過干法蝕刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，步驟S1和步驟S2之間還包括步驟S13：在所述第一表面和所述第二表面通過氧化形成氧化層，所述氧化層延伸至所述凹槽內(nèi)部形成阻擋層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述步驟S2和所述步驟S4之間還包括步驟S3，對通孔進(jìn)行處理，去除所述通孔內(nèi)的氧化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，步驟S3為采用濕法氧化法去除通孔內(nèi)的氧化層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述步驟S4包括：
步驟S41：在通孔內(nèi)沉積摻雜多晶硅；
步驟S42：在所述第一表面和所述第二表面加工第一鋁導(dǎo)電層和第二鋁導(dǎo)電層；
步驟S43：在所述第一鋁導(dǎo)電層和/或所述第二鋁導(dǎo)電層上加工圖案以形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述步驟S41包括：
步驟S411：對加工有通孔的硅基底沉積摻雜多晶硅；
步驟S412：除去第一表面和所述第二表面上沉積的摻雜多晶硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述步驟S412為采用CMP混合指示劑除去摻雜多晶硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，步驟S42還包括預(yù)處理所述硅基底的表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，步驟S43包括：
步驟S431：在所述第一鋁導(dǎo)電層和/或所述第二鋁導(dǎo)電層上形成圖案，在不需要加工通孔的部位設(shè)置保護(hù)層；
步驟S432：對所述第一鋁導(dǎo)電層和/或所述第二鋁導(dǎo)電層進(jìn)行濕法蝕刻形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
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