[發明專利]一種電池板及其制造方法有效
| 申請號: | 201810424107.7 | 申請日: | 2018-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN108630784B | 公開(公告)日: | 2020-02-07 |
| 發明(設計)人: | 張軍 | 申請(專利權)人: | 深圳中富電路股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/048;H01L31/052 |
| 代理公司: | 44525 深圳邁遼知識產權代理有限公司 | 代理人: | 賴耀華 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝膠層 玻璃蓋板 太陽能電池 樹脂 背板 金屬導熱柱 電池板 耐用型 隔熱 凹孔 導熱 太陽能電池片 氟碳樹脂層 環形密封圈 環氧樹脂膠 戊烯共聚物 層壓處理 依次層疊 真空間隙 下表面 丁烯 粘結 乙烯 背面 制造 裸露 鑲嵌 | ||
1.一種電池板的制造方法,其特征在于:包括以下步驟:
1)提供一太陽能電池樹脂背板,在所述太陽能電池樹脂背板上鋪設第一EVA封裝膠層;
2)在所述第一EVA封裝膠層上鋪設乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封裝膠層;
3)在所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封裝膠層上鋪設第一導熱封裝膠層,所述第一導熱封裝膠層包括EVA以及相對于所述EVA100重量份為10-20重量份的導熱納米顆粒;
4)在所述第一導熱封裝膠層上鋪設太陽能電池片層;
5)在所述太陽能電池片層上鋪設第一隔熱封裝膠層,在所述第一隔熱封裝膠層上鋪設EVA封裝膠層,在所述EVA封裝膠層上鋪設第二隔熱封裝膠層,所述第一隔熱封裝膠層和所述第二隔熱封裝膠層均包括EVA以及相對于所述EVA100重量份為20-25重量份的隔熱材料;
6)在第一玻璃蓋板的上表面的四周邊緣形成第一環形溝槽,接著在所述第二隔熱封裝膠層上鋪設所述第一玻璃蓋板,接著進行層壓處理;
7)在所述太陽能電池樹脂背板的背面開設多個凹孔,每個所述凹孔中均鑲嵌一金屬導熱柱,并使得每個所述金屬導熱柱的下端暴露于所述太陽能電池樹脂背板,在所述太陽能電池樹脂背板的下表面涂覆環氧樹脂膠以完全覆蓋所述金屬導熱柱,在所述環氧樹脂膠下表面粘結氟碳樹脂層,去除部分的氟碳樹脂層和部分的環氧樹脂膠,以使得每個所述金屬導熱柱的底表面的一部分裸露;
8)在第二玻璃蓋板的下表面的四周邊緣形成與所述第一環形溝槽相對設置的第二環形溝槽,通過一環形密封圈將所述第一玻璃蓋板和所述第二玻璃蓋板粘結在一起,所述環形密封圈上設置有抽氣口,利用所述抽氣口將所述第一玻璃蓋板和所述第二玻璃蓋板之間的間隙抽至真空狀態,然后利用密封膠密封所述抽氣口。
2.根據權利要求1所述的電池板的制造方法,其特征在于:所述太陽能電池樹脂背板的材質為PET、PEN以及PBT中的一種,所述太陽能電池樹脂背板的厚度為600-900微米。
3.根據權利要求1所述的電池板的制造方法,其特征在于:所述第一EVA封裝膠層的厚度為200-400微米,所述乙烯-1-丁烯-4-甲基-1-戊烯共聚物封裝膠層的厚度為100-300微米,所述第一導熱封裝膠層的厚度為200-300微米。
4.根據權利要求3所述的電池板的制造方法,其特征在于:所述導熱納米顆粒的材質為氧化鋁、氮化硼、氧化鎂、氮化鋁以及碳化硅中的一種,所述導熱納米顆粒的粒徑為100-200納米。
5.根據權利要求1所述的電池板的制造方法,其特征在于:所述太陽能電池片層包括多個呈陣列排布的太陽能電池片,所述太陽能電池片為單晶硅電池、多晶硅電池、非晶硅電池、砷化鎵電池以及銅銦鎵硒電池中的一種。
6.根據權利要求1所述的電池板的制造方法,其特征在于:所述第一隔熱封裝膠層的厚度為80-100微米,所述EVA封裝膠層的厚度為300-400微米,所述第二隔熱封裝膠層的厚度為60-90微米,所述隔熱材料為膨脹珍珠巖粉末、玻璃棉粉末、膨脹蛭石粉末以及硅酸鹽粉末中的一種。
7.根據權利要求6所述的電池板的制造方法,其特征在于:所述凹孔的頂表面暴露所述第一導熱封裝膠層,所述凹孔和所述金屬導熱柱的直徑均為3-6毫米,相鄰凹孔之間的間距為5-10毫米,所述環氧樹脂膠的厚度為300-500微米,所述氟碳樹脂層的厚度為100-150微米,所述金屬導熱柱的底表面的裸露部分為圓形孔,所述圓形孔的直徑為1-3毫米。
8.根據權利要求1所述的電池板的制造方法,其特征在于:所述間隙的高度為2-5毫米。
9.一種電池板,其特征在于,采用權利要求1-8任一項所述的方法制備形成的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





