[發明專利]襯底摻雜結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201810420939.1
• 申請日: 2018-05-04
• 公開（公告）號: CN108615675B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 許文山;方欣欣
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/266;H01L29/10
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳

1.一種襯底摻雜結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括隔離區域、第一摻雜阱區域和第二摻雜阱區域；

在所述襯底表面形成暴露出所述隔離區域以及所述第一摻雜阱區域的第一圖形化掩膜層；

以所述第一圖形化掩膜層為掩膜，對所述襯底進行場注入，在所述隔離區域內以及第一摻雜阱區域內同時形成場摻雜區，所述場摻雜區用于避免相鄰的器件之間發生漏極穿通造成漏電；

以所述第一圖形化掩膜層為掩膜，對所述襯底進行第一摻雜離子注入，在所述隔離區域內以及第一摻雜阱區域內同時形成第一摻雜區；

在所述襯底表面形成暴露出所述第一摻雜阱區域和所述第二摻雜阱區域的第二圖形化掩膜層；

以所述第二圖形化掩膜層為掩膜，對所述襯底進行第二離子注入，在所述第一摻雜阱區域和第二摻雜阱區域內同時形成第二摻雜區，所述第一摻雜區位于所述第一摻雜阱區域的第二摻雜區內，所述第一摻雜阱區域內的第二摻雜區以及第一摻雜區共同構成所述第一摻雜區域內待形成的特定摻雜要求的摻雜結構，所述第二摻雜阱區域內的第二摻雜區直接作為所述第二摻雜阱區域內要求形成的摻雜結構。

2.根據權利要求1所述的襯底摻雜結構的形成方法，其特征在于，所述第一摻雜區位于所述場摻雜區上方。

3.根據權利要求1所述的襯底摻雜結構的形成方法，其特征在于，還包括：在所述襯底的隔離區域內形成淺溝槽隔離結構，所述隔離區域內的場摻雜區位于所述淺溝槽隔離結構下方。

4.根據權利要求1所述的襯底摻雜結構的形成方法，其特征在于，所述場摻雜區的摻雜離子為硼，深度范圍為3000?~8000 ?。

5.根據權利要求1所述的襯底摻雜結構的形成方法，其特征在于，所述第一摻雜離子注入包括依次進行的閾值調整注入和防穿通離子注入，所述第一摻雜區包括防穿通摻雜區和閾值調整摻雜區，所述防穿通摻雜區位于所述閾值調整摻雜區下方。

6.一種襯底摻雜結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括隔離區域、第一摻雜阱區域和第二摻雜阱區域；

位于所述隔離區域內以及第一摻雜阱區域內的場摻雜區，所述場摻雜區用于避免相鄰的器件之間發生漏極穿通造成漏電；

位于所述隔離區域內以及第一摻雜阱區域內的第一摻雜區；

位于所述第一摻雜阱區域內和第二摻雜阱區域內的第二摻雜區，所述第一摻雜區位于所述第一摻雜阱區域的第二摻雜區內，所述第一摻雜阱區域內的第二摻雜區以及第一摻雜區共同構成所述第一摻雜區域內待形成的特定摻雜要求的摻雜結構，所述第二摻雜阱區域內的第二摻雜區直接作為所述第二摻雜阱區域內要求形成的摻雜結構。

7.根據權利要求6所述的襯底摻雜結構，其特征在于，所述第一摻雜區位于所述場摻雜區上方。

8.根據權利要求6所述的襯底摻雜結構，其特征在于，還包括：位于所述襯底的隔離區域內的淺溝槽隔離結構，所述隔離區域內的場摻雜區位于所述淺溝槽隔離結構下方。

9.根據權利要求6所述的襯底摻雜結構，其特征在于，所述場摻雜區的摻雜離子為硼，深度范圍為3000?~8000 ?。

10.根據權利要求6所述的襯底摻雜結構，其特征在于，所述第一摻雜區包括防穿通摻雜區和閾值調整摻雜區，所述防穿通摻雜區位于所述閾值調整摻雜區下方。