[發明專利]解決有源區位錯缺陷的方法及半導體器件

在審

• 申請號: 201810420914.1
• 申請日: 2018-05-04
• 公開（公告）號: CN108630531A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 羅清威;徐靜靜;李赟;周俊
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/324;H01L29/08
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明提供一種解決有源區位錯缺陷的方法以及半導體器件，所述解決有源區位錯缺陷的方法包括：提供襯底，所述襯底設置有有源區；采用低注入能量的方式注入砷元素在所述有源區形成源/漏極，所述低注入能量的方式的工藝條件包括：注入能量為3kV～30kV；進行退火工藝。本發明提供的解決有源區位錯缺陷的方法以及半導體器件中，在有源區形成源/漏極時采用低注入能量的方式注入砷元素，調整器件源漏注入條件，減少有源區的晶格錯位，有效的防止晶格失配，從而減少漏電流，并通過退火工藝的修復作用，減少有源區位錯缺陷，提高產品的性能。

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，尤其涉及一種解決有源區位錯缺陷的方法及半導體器件。

背景技術

隨著集成電路設計中器件尺寸的不斷縮小以及制造技術的進步，需要對有源區也進行相應的縮小，甚至還需要對器件溝道進行縮小，以實現器件尺寸的不斷微縮。

但是，隨著有源區和溝道尺寸的不斷縮小，導致源漏之間的應力對器件性能的影響會越來越明顯，從而可能形成位錯缺陷等產生漏電流，這種影響隨著器件尺寸的減小變得越來越不能忽視。

因此，如何提供一種解決位錯缺陷的方法是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種解決有源區位錯缺陷的方法及半導體器件，解決半導體器件出現位錯缺陷的問題。

為了解決上述問題，本發明提供一種解決有源區位錯缺陷的方法，所述解決有源區位錯缺陷的方法包括：

提供襯底，所述襯底設置有有源區；

采用低注入能量的方式注入砷元素在所述有源區形成源/漏極，所述低注入能量的方式的工藝條件包括：注入能量為3kV～30kV；

進行退火工藝。

可選的，在所述解決有源區位錯缺陷的方法中，所述退火工藝的工藝條件包括：溫度為800℃～1100℃，時間為1mS～20S。

可選的，在所述解決有源區位錯缺陷的方法中，所述襯底上還設置有側墻，所述側墻位于所述有源區外側。

可選的，在所述解決有源區位錯缺陷的方法中，所述側墻朝向所述有源區傾斜形成夾角，所述夾角的角度小于80°。

可選的，在所述解決有源區位錯缺陷的方法中，所述側墻采用淺溝槽隔離工藝，所述側墻的材料包括氧化硅和/或氮化硅。

可選的，在所述解決有源區位錯缺陷的方法中，所述側墻的高度高于所述有源區。

可選的，在所述解決有源區位錯缺陷的方法中，所述襯底上還設置有柵極，所述柵極還包括柵氧化層，所述柵氧化層附著在所述襯底上。

可選的，在所述解決有源區位錯缺陷的方法中，所述襯底上還設置有輕摻雜區，所述輕摻雜區位于所述柵極兩側。

本發明還提供一種半導體器件，所述半導體器件采用上述解決有源區位錯缺陷的方法形成源/漏極。

綜上所述，本發明提供的解決有源區位錯缺陷的方法以及半導體器件中，在有源區形成源/漏極時采用低注入能量的方式注入砷元素，調整器件源漏注入條件，減少有源區的晶格錯位，有效的防止晶格失配，從而減少漏電流，并通過退火工藝的修復作用，減少有源區位錯缺陷，提高產品的性能。

附圖說明

圖1為本發明實施例的解決有源區位錯缺陷的方法的流程圖；

圖2-3為本發明實施例的半導體器件的剖面結構示意圖；

其中，10-襯底，11-有源區，20-側墻，30-柵極，31-柵氧化層，40-輕摻雜區。

具體實施方式