[發明專利]解決有源區位錯缺陷的方法及半導體器件

在審

• 申請號: 201810420914.1
• 申請日: 2018-05-04
• 公開（公告）號: CN108630531A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 羅清威;徐靜靜;李赟;周俊
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/324;H01L29/08
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種解決有源區位錯缺陷的方法，其特征在于，所述解決有源區位錯缺陷的方法包括：

提供襯底，所述襯底設置有有源區；

采用低注入能量的方式注入砷元素在所述有源區形成源/漏極，所述低注入能量的方式的工藝條件包括：注入能量為3kV～30kV；

進行退火工藝。

2.如權利要求1所述解決有源區位錯缺陷的方法，其特征在于，所述退火工藝的工藝條件包括：溫度為800℃～1100℃，時間為1mS～20S。

3.如權利要求1所述解決有源區位錯缺陷的方法，其特征在于，所述襯底上還設置有側墻，所述側墻位于所述有源區外側。

4.如權利要求3所述解決有源區位錯缺陷的方法，其特征在于，所述側墻朝向所述有源區傾斜形成夾角，所述夾角的角度小于80°。

5.如權利要求3或4所述解決有源區位錯缺陷的方法，其特征在于，所述側墻采用淺溝槽隔離工藝，所述側墻的材料包括氧化硅和/或氮化硅。

6.如權利要求5所述解決有源區位錯缺陷的方法，其特征在于，所述側墻的高度高于所述有源區。

7.如權利要求1所述解決有源區位錯缺陷的方法，其特征在于，所述襯底上還設置有柵極，所述柵極具有柵氧化層，所述柵氧化層附著在所述襯底上。

8.如權利要求7所述解決有源區位錯缺陷的方法，其特征在于，所述襯底上還設置有輕摻雜區，所述輕摻雜區位于所述柵極兩側。

9.一種半導體器件，所述半導體器件采用如權利要求1-8中任意一項所述解決有源區位錯缺陷的方法形成源/漏極。