[發(fā)明專(zhuān)利]解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法及半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810420914.1
• 申請(qǐng)日: 2018-05-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108630531A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅清威;徐靜靜;李赟;周俊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/265
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/265;H01L21/324;H01L29/08
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法，其特征在于，所述解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法包括：

提供襯底，所述襯底設(shè)置有有源區(qū)；

采用低注入能量的方式注入砷元素在所述有源區(qū)形成源/漏極，所述低注入能量的方式的工藝條件包括：注入能量為3kV～30kV；

進(jìn)行退火工藝。

2.如權(quán)利要求1所述解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法，其特征在于，所述退火工藝的工藝條件包括：溫度為800℃～1100℃，時(shí)間為1mS～20S。

3.如權(quán)利要求1所述解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法，其特征在于，所述襯底上還設(shè)置有側(cè)墻，所述側(cè)墻位于所述有源區(qū)外側(cè)。

4.如權(quán)利要求3所述解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法，其特征在于，所述側(cè)墻朝向所述有源區(qū)傾斜形成夾角，所述夾角的角度小于80°。

5.如權(quán)利要求3或4所述解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法，其特征在于，所述側(cè)墻采用淺溝槽隔離工藝，所述側(cè)墻的材料包括氧化硅和/或氮化硅。

6.如權(quán)利要求5所述解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法，其特征在于，所述側(cè)墻的高度高于所述有源區(qū)。

7.如權(quán)利要求1所述解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法，其特征在于，所述襯底上還設(shè)置有柵極，所述柵極具有柵氧化層，所述柵氧化層附著在所述襯底上。

8.如權(quán)利要求7所述解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法，其特征在于，所述襯底上還設(shè)置有輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)位于所述柵極兩側(cè)。

9.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件采用如權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述解決有源區(qū)位錯(cuò)缺陷的方法形成源/漏極。