[發明專利]一種低溫多晶硅陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 201810420727.3
• 申請日: 2018-05-04
• 公開（公告）號: CN108550581A
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 田超;肖軍城
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明提供一種低溫多晶硅陣列基板及其制備方法，所述方法包括以下步驟：在基板上制備多晶硅層，經第一道光罩制程形成多晶硅圖案；然后接著依次制備柵絕緣層、柵極金屬層以及第一光刻膠，經過第二道光罩制程形成所述多晶硅圖案中的重摻雜部、輕摻雜部以及形成柵極；在所述基板上依次制備間絕緣層、像素電極層以及第二光刻膠，經第三道光罩形成源極過孔、漏極過孔以及像素電極；接著制備一層源漏極金屬層，經第四道光罩制程形成源極與漏極，以及觸控信號線；在所述基板上制備一層鈍化層，經第五道光罩形成第一過孔；在所述基板上制備一層觸控電極層，經第六道光罩形成圖案化的觸控電極。

技術領域

本發明涉及陣列基板技術領域，尤其涉及一種低溫多晶硅陣列基板及其制備方法。

背景技術

低溫多晶硅(Low temperature poly-silicon，簡稱LTPS)，由于其具有高的電子遷移率，可以有效的減小TFT的器件的面積，從而提升像素的開口率。增大面板顯示亮度的同時可以降低整體的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低，目前已成為液晶顯示領域炙手可熱的技術。

但是LTPS工藝復雜，Array側基板陣列成膜的的層別較多，針對不同膜層的制備需采用不同的光罩，例如源漏極過孔及像素電極的形成均需要采用不同的光罩工藝等，不能實現對光罩的最大利用，這樣導致會有較多的光罩數量，同時產品制作產能時間增長，增加了光照成本、物料和運營成本。目前面板設計行業關注的重點在于如何能有效的降低LTPSArray側陣列基板的制作周期，如何提升產品的良率及產品生產產能，從而為公司降低成本，同時也是增加公司市場競爭力的有效途徑。

因此，有必要提供一種新的低溫多晶硅陣列基板的制備方法，以解決現有技術所存在的問題。

發明內容

本發明提供一種低溫多晶硅陣列基板及其制備方法，能夠減少制程光罩數量，達到節省光罩成本、運行成本、材料成本和時間成本的目的，且在不增加光罩的前提下兼容內觸控設計。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明提供一種低溫多晶硅陣列基板的制備方法，所述方法包括以下步驟：

步驟S1、提供一基板，在所述基板上依次制備緩沖層、多晶硅層，經第一道光罩制程后形成多晶硅圖案；

步驟S2、在所述基板上依次制備柵絕緣層、柵極金屬層以及一層第一光刻膠，對所述柵極金屬層蝕刻形成柵極，并對所述多晶硅圖案進行摻雜，形成所述多晶硅圖案中的重摻雜部與輕摻雜部；

步驟S3、在所述基板上依次制備間絕緣層、像素電極層以及一層第二光刻膠，采用第三道光罩在不同區域以不同的光透過量進行曝光，顯影后對應所述重摻雜部預設位置的所述第二光刻膠完全蝕刻，形成不同厚度的第二光刻膠圖案；

步驟S4、經蝕刻去除對應所述重摻雜部的所述預設位置的所述像素電極層、所述間絕緣層以及所述柵絕緣層的相應部分，形成源極過孔與漏極過孔；

步驟S5、去除部分所述第二光刻膠，保留所述像素電極層上用于制備像素電極的相應區域上方的所述第二光刻膠，對所述像素電極層進行蝕刻，形成圖案化的所述像素電極。

根據本發明一優選實施例，所述方法還包括以下步驟：

步驟S6、在所述基板上制備一層源漏極金屬層并進行第四道光罩制程，圖案化后在對應所述源極過孔與所述漏極過孔處分別形成源極與漏極，以及在對應相鄰兩所述多晶硅圖案之間形成觸控信號線；其中，所述漏極與所述像素電極接觸；

步驟S7、在所述基板上制備一層鈍化層，通過第五道光罩在對應所述觸控信號線的相應位置形成第一過孔；

步驟S8、在所述基板上制備一層觸控電極層，通過第六道光罩形成圖案化的觸控電極，且所述觸控電極通過所述第一過孔與所述觸控信號線接觸。