[發明專利]一種低溫多晶硅陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 201810420727.3
• 申請日: 2018-05-04
• 公開（公告）號: CN108550581A
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 田超;肖軍城
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種低溫多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

步驟S1、提供一基板，在所述基板上依次制備緩沖層、多晶硅層，經第一道光罩制程后形成多晶硅圖案；

步驟S2、在所述基板上依次制備柵絕緣層、柵極金屬層以及一層第一光刻膠，對所述柵極金屬層蝕刻形成柵極，并對所述多晶硅圖案進行摻雜，形成所述多晶硅圖案中的重摻雜部與輕摻雜部；

步驟S3、在所述基板上依次制備間絕緣層、像素電極層以及一層第二光刻膠，采用第三道光罩在不同區域以不同的光透過量進行曝光，顯影后對應所述重摻雜部預設位置的所述第二光刻膠完全蝕刻，形成不同厚度的第二光刻膠圖案；

步驟S4、經蝕刻去除對應所述重摻雜部的所述預設位置的所述像素電極層、所述間絕緣層以及所述柵絕緣層的相應部分，形成源極過孔與漏極過孔；

步驟S5、去除部分所述第二光刻膠，保留所述像素電極層上用于制備像素電極的相應區域上方的所述第二光刻膠，對所述像素電極層進行蝕刻，形成圖案化的所述像素電極。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟：

步驟S6、在所述基板上制備一層源漏極金屬層并進行第四道光罩制程，圖案化后在對應所述源極過孔與所述漏極過孔處分別形成源極與漏極，以及在對應相鄰兩所述多晶硅圖案之間形成觸控信號線；其中，所述漏極與所述像素電極接觸；

步驟S7、在所述基板上制備一層鈍化層，通過第五道光罩在對應所述觸控信號線的相應位置形成第一過孔；

步驟S8、在所述基板上制備一層觸控電極層，通過第六道光罩形成圖案化的觸控電極，且所述觸控電極通過所述第一過孔與所述觸控信號線接觸。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：在所述基板上依次制備柵絕緣層、柵極金屬層以及一層第二光刻膠，并進行第二道光罩制程，對所述柵極金屬層進行第一次蝕刻后形成所述多晶硅圖案中的重摻雜部，再對所述柵極金屬層進行第二次蝕刻后形成柵極以及所述多晶硅圖案中的輕摻雜部；

其中，所述重摻雜部是以所述柵極金屬層第一次蝕刻后形成的圖案為掩模，對所述多晶硅圖案進行N⁺離子摻雜形成的；所述輕摻雜部是以所述柵極為掩模，對所述多晶硅圖案進行N^-離子摻雜形成的。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述重摻雜部包括形成于所述柵極金屬層第一次蝕刻后的所述圖案兩側的第一重摻雜部與第二重摻雜部，所述輕摻雜部包括形成于所述柵極對應區域兩側的第一輕摻雜部與第二輕摻雜部，所述第一重摻雜部與所述第二重摻雜部寬度相等，所述第一輕摻雜部與所述第二輕摻雜部的寬度相等。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中對應所述像素電極上方的所述第二光刻膠圖案的厚度最厚。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4具體包括以下步驟：

步驟S41、進行第一次蝕刻制程，將所述像素電極層對應所述重摻雜部的所述預設位置的相應部分蝕刻掉；

步驟S42、再進行第二次蝕刻制程，將所述間絕緣層及所述柵絕緣層對應所述重摻雜部的所述預設位置的相應部分蝕刻掉，形成對應源極的所述源極過孔與對應漏極的所述漏極過孔。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S5具體包括以下步驟：

步驟S51、對所述第二光刻膠圖案進行蝕刻，保留所述像素電極上方的所述第二光刻膠；

步驟S52、對所述像素電極層進行蝕刻，形成圖案化的所述像素電極；

步驟S53、去除所述像素電極上的所述第二光刻膠。

8.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述漏極的一部分制備于所述像素電極上。

9.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述像素電極層與所述觸控電極層的材料均為銦錫金屬氧化物。

10.一種如權利要求1～9任一權利要求所述的制備方法制備的低溫多晶硅陣列基板。