[發明專利]一種類單晶籽晶的鋪設方法

有效

• 申請號: 201810419251.1
• 申請日: 2018-05-04
• 公開（公告）號: CN108531976B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 歐子楊;金浩;張濤;王全志;白梟龍;汪沛淵;晏文勇;李照武;黃開發;李省平;胡穎
• 申請（專利權）人: 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
• 主分類號: C30B11/14
• 分類號: C30B11/14;C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本發明公開了一種類單晶籽晶的鋪設方法，包括：在第一單晶圓棒上確定四條參考切割線，沿切割線切割以得到四角均在圓棒上的矩形籽晶；在第二單晶圓棒上確定四條第一切割線，沿切割線切割以得到其中相鄰兩角在圓棒上的同側圓角矩形籽晶；在第三單晶圓棒上確定四條第二切割線，沿切割線切割以得到三個角均在圓棒上的三圓角矩形籽晶；將三圓角矩形籽晶鋪設于坩堝底部的四角、同側圓角矩形籽晶鋪設于四邊，并將矩形籽晶鋪設于四邊包圍的區域。本申請公開的上述技術方案，相比于現有方案中均通過矩形籽晶進行鋪設，所增加的面積為三圓角矩形籽晶和同側圓角矩形籽晶比矩形籽晶所多出的面積，從而實現了在現有單晶圓棒的基礎上增加坩堝底部籽晶的面積。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，更具體地說，涉及一種類單晶籽晶的鋪設方法。

背景技術

目前，太陽能電池以晶硅太陽能電池為主流。為了提高晶硅太陽能電池的轉換效率，并降低制造成本，利用鑄造技術生產類單晶則受到大眾的普遍關注。

在現有技術中，利用鑄造技術生產類單晶的過程具體可以為：對利用直拉單晶技術得到的直拉單晶圓棒進行切割，以得到無位錯的矩形單晶，將多塊單晶作為籽晶鋪設在坩堝底部用于形核，其對應的鋪設圖形如圖1所示，其示出了現有技術中籽晶在坩堝底部的鋪設示意圖，而坩堝與籽晶的縫隙部位則用硅料進行填充，以生產類單晶產品。為了減少從坩堝面生長的多晶，則常采用的方式是增加底部籽晶的面積，使得在長晶階段底部的籽晶可以與坩堝面多晶產生競爭生長，從而增加獲得單晶的概率。為了增加底部籽晶的面積，目前常用的方式是增加直拉單晶圓棒的直徑，但基于現有的量產設備及直拉單晶技術生產直徑更大的單晶圓棒的技術難度比較大、成本比較高，并且加工切割難度也比較大。

綜上所述，如何在現有單晶圓棒的基礎上增加坩堝底部的籽晶面積是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的是提供一種類單晶籽晶的鋪設方法，實現在現有單晶圓棒的基礎上增加坩堝底部籽晶的面積，從而增加獲得單晶的概率。

為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種類單晶籽晶的鋪設方法，包括：

在第一單晶圓棒上確定四條參考切割線，其中，所述參考切割線的四個交點均位于所述第一單晶圓棒的邊緣上，沿切割線切割以得到矩形籽晶；

在第二單晶圓棒上確定四條第一切割線，其中，所述第一切割線的兩個交點位于所述第二單晶圓棒的邊緣上，其余兩個交點位于所述第二單晶圓棒之外，沿切割線切割以得到同側圓角矩形籽晶；

在第三單晶圓棒上確定四條第二切割線，其中，所述第二切割線的一個交點位于所述第三單晶圓棒的邊緣上，其余三個交點位于所述第三單晶圓棒之外，沿切割線切割以得到三圓角矩形籽晶；

將所述三圓角矩形籽晶鋪設于坩堝底部的四角、所述同側圓角矩形籽晶鋪設于所述坩堝底部的四邊，并將所述矩形籽晶鋪設于四邊包圍的區域。

優選的，所述矩形籽晶具體為正方形籽晶。

優選的，單晶圓棒的晶向為(110)。

優選的，沿切割線切割，包括：

利用單晶開方機沿切割線對單晶圓棒進行切割。

優選的，在沿切割線切割之后，還包括：

將剩余部分的單晶圓棒切割成預設寬度的籽晶窄條，將所述籽晶窄條分別鋪設于所述三圓角矩形籽晶與所述坩堝的縫隙之間、以及所述同側圓角矩形籽晶與所述坩堝的縫隙之間。

優選的，在將剩余部分的單晶圓棒切割成預設寬度的籽晶窄條之后，還包括：

對切割得到的籽晶進行清洗。

優選的，對切割得到的籽晶進行清洗，包括：