[發明專利]一種降低浮柵方塊電阻的方法在審
| 申請號： | 201810416005.0 | 申請日： | 2018-05-03 |
| 公開（公告）號： | CN108648996A | 公開（公告）日： | 2018-10-12 |
| 發明（設計）人： | 張超然;羅清威;李赟;周俊 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 方塊電阻 浮柵 摻雜 多晶硅 磷元素 熱退火 硅片 退火 氧化硅保護層 浮柵存儲器 熱處理過程 表面形成 產品性能 多晶硅層 研磨處理 制造工藝 淀積 良率 氣源 氧氣 離子 擴散 | ||
1.一種降低浮柵方塊電阻的方法，其特征在于，應用于浮柵存儲器制造工藝中，包括以下步驟：
步驟S1：提供一硅片，所述硅片表面形成有用以制備浮柵的多晶硅層；
步驟S2：對所述多晶硅層進行磷元素離子注入；
步驟S3：對所述硅片進行熱退火處理，熱退火氣氛中摻雜預定體積的氧氣；
步驟S4：對所述硅片的表面進行研磨處理以形成所述浮柵。
2.根據權利要求1所述的降低浮柵方塊電阻的方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述熱退火氣氛為氮氣。
3.根據權利要求1所述的降低浮柵方塊電阻的方法，其特征在于，所述步驟S3中，熱退火溫度為1000℃。
4.根據權利要求1所述的降低浮柵方塊電阻的方法，其特征在于，所述步驟S3中，熱退火時長為20秒。
5.根據權利要求1所述的降低浮柵方塊電阻的方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述熱退火過程中氧氣使用量為2.5-3.5升。
6.根據權利要求1所述的降低浮柵方塊電阻的方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述熱退火過程中氧氣使用量為3升。
7.根據權利要求1所述的降低浮柵方塊電阻的方法，其特征在于，所述硅片在步驟S1之前還包括以下步驟：
步驟A1：在所述硅片上制作淺槽隔離結構；
步驟A2：于所述硅片上進行阱注入操作以形成阱區；
步驟A3：在所述硅片表面形成浮柵氧化層；
步驟A4：于所述浮柵氧化層表面及所述淺槽隔離結構頂部覆蓋形成所述多晶硅層。
8.根據權利要求7所述的降低浮柵方塊電阻的方法，其特征在于，所述步驟S4中，研磨所述多晶硅層，至所述多晶硅層與所述淺槽隔離結構頂部齊平。
9.根據權利要求1所述的降低浮柵方塊電阻的方法，其特征在于，所述步驟S4中，研磨的方法為化學機械研磨。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
