[發(fā)明專利]一種螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810415754.1 | 申請日: | 2018-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN108565273B | 公開(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊為家;何鑫;劉俊杰;劉銘全;劉艷怡;王諾媛;蔣庭輝;江嘉怡;沈耿哲 | 申請(專利權(quán))人: | 五邑大學(xué) |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人: | 梁嘉琦 |
| 地址: | 529000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 螺旋狀 超長 金屬線 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,包括以下步驟:1)在襯底上旋涂光刻膠;2)用掩膜板進行曝光顯影,在襯底上獲得螺旋狀的線/帶生長模板區(qū)域;3)在經(jīng)過步驟2)處理后的襯底上蒸鍍一層金屬薄膜;4)在真空爐中退火,使金屬薄膜結(jié)晶,并與襯底鍵合在一起;5)反向剝離,除去光刻膠和多余的金屬薄膜,在襯底上獲得螺旋狀的超長線/帶,6)除去襯底,得到螺旋狀的超長線/帶;其中,所述線/帶的寬度為微米級或納米級。本發(fā)明利用掩膜板制備超長的金屬線/帶,有序性好,其長度可達幾米甚至數(shù)十米,可以像電纜一樣盤卷起來;該制備方法簡單,適用于多種金屬,適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明處于傳感器器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法。
背景技術(shù)
金屬納米線具有導(dǎo)電性能好、適用性廣等優(yōu)點,因而受到了人們的重視。例如,隨著人們生活水平的提高,人們對醫(yī)療健康產(chǎn)品提出了更高的要求,穿戴式醫(yī)療器件受到了人們的青睞??纱┐魇綁毫︶t(yī)療器件要求柔軟、輕便、舒適,而滿足這些要求通常是有機材料,例如PDMS、PET等。有機薄膜通常是不導(dǎo)電的,為了獲得良好的電學(xué)性能,會在PDMS中摻入金屬納米線、碳納米管和石墨烯等。
此外,隨著科學(xué)迅速發(fā)展,納米器件有望在未來發(fā)揮極其重要的作用。而金屬納米線可以作為納米器件的電極材料。隨著微納加工技術(shù)的不斷成熟,金屬納米線將會對納米器件的發(fā)展產(chǎn)生積極的影響。
目前,一般是通過腐蝕剝離法、外延法和水熱法等方法制備金屬納米線。但這些方法制備的金屬納米線有序性較差、長度較短,一般不超過1cm,而且,采用這些方法制備的納米線無規(guī)則,也無法盤卷起來,占地面積大,因此不能滿足一些特殊領(lǐng)域的需求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,利用掩膜板制備超長的金屬線/帶,其長度可達幾米甚至數(shù)十米,可以像電纜一樣盤卷起來。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,包括以下步驟:
1)在襯底上旋涂光刻膠;
2)用掩膜板進行曝光顯影,在襯底上獲得螺旋狀的線/帶生長模板區(qū)域;
3)在經(jīng)過步驟2)處理后的襯底上蒸鍍一層金屬薄膜;
4)在真空爐中退火,使金屬薄膜結(jié)晶,并與襯底鍵合在一起;
5)反向剝離,除去光刻膠和多余的金屬薄膜,在襯底上獲得螺旋狀的超長線/帶;
6)除去襯底,得到螺旋狀的超長線/帶;
其中,所述線/帶的寬度為微米級或納米級。
優(yōu)選的,所述線/帶的寬度為300-10000nm。
優(yōu)選的,所述線/帶的材質(zhì)為Ag、Au、Pt、Cu、Fe、Al或Cr。更優(yōu)選的,所述線/帶的材質(zhì)為Ag或Au。
優(yōu)選的,所述襯底的直徑為2英寸以上;所述襯底可以選用容易被弱酸腐蝕的材料,襯底的材質(zhì)為LiGaO2、MgO、ZnO或FeO。
優(yōu)選的,步驟1)中,旋涂的光刻膠的厚度為0.3-20μm。
優(yōu)選的,步驟2)中,使用預(yù)先制備好的金屬Cr掩膜板進行曝光顯影,金屬Cr掩膜板有激光刻蝕出的螺旋狀圖案。
步驟2)中,曝光顯影的控制的條件為:采用370nm紫光照射10-60s。
優(yōu)選的,步驟3)中,采用電子束蒸發(fā)在室溫、真空大于10-3Pa的條件下蒸鍍金屬薄膜。
優(yōu)選的,所述金屬薄膜的厚度為300-20000nm,金屬薄膜為選自Ag薄膜、Au薄膜、Pt薄膜、Cu薄膜、Fe薄膜、Al薄膜或Cr薄膜。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于五邑大學(xué),未經(jīng)五邑大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810415754.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:圖像傳感器、形成方法及其工作方法
- 下一篇:圖像傳感器及其形成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





