[發明專利]一種螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法有效
| 申請號: | 201810415754.1 | 申請日: | 2018-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN108565273B | 公開(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發明(設計)人: | 楊為家;何鑫;劉俊杰;劉銘全;劉艷怡;王諾媛;蔣庭輝;江嘉怡;沈耿哲 | 申請(專利權)人: | 五邑大學 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 梁嘉琦 |
| 地址: | 529000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 螺旋狀 超長 金屬線 制備 方法 | ||
1.一種螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)在襯底上旋涂光刻膠;
2)用掩膜板進行曝光顯影,在襯底上獲得螺旋狀的線/帶生長模板區域;
3)在經過步驟2)處理后的襯底上蒸鍍一層金屬薄膜;
4)在真空爐中退火,使金屬薄膜結晶,并與襯底鍵合在一起;
5)反向剝離,除去光刻膠和多余的金屬薄膜,在襯底上獲得螺旋狀的超長線/帶;
6)除去襯底,得到螺旋狀的超長線/帶;
其中,所述線/帶的寬度為微米級或納米級;
所述襯底的材質為LiGaO2、MgO、ZnO或FeO;
步驟4)中,退火的條件控制為:真空度大于10-4Pa,退火溫度200-400℃,退火時間30-240min。
2.根據權利要求1所述的螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,其特征在于,所述線/帶的寬度為300-10000nm。
3.根據權利要求1所述的螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,其特征在于,所述線/帶的材質為Ag、Au、Pt、Cu、Fe、Al或Cr。
4.根據權利要求1所述的螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,其特征在于,所述襯底的直徑為2英寸以上。
5.根據權利要求1所述的螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,其特征在于,步驟1)中,旋涂的光刻膠的厚度為0.3-20μm。
6.根據權利要求1所述的螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,其特征在于,步驟3)中,采用電子束蒸發在室溫、真空大于10-3Pa的條件下蒸鍍金屬薄膜。
7.根據權利要求1所述的螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,其特征在于,所述金屬薄膜的厚度為300-20000nm,金屬薄膜為選自Ag薄膜、Au薄膜、Pt薄膜、Cu薄膜、Fe薄膜、Al薄膜或Cr薄膜。
8.根據權利要求1所述的螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,其特征在于,步驟6)中,除去襯底的具體操作為:在真空大于10-4Pa的條件下,將步驟5)處理后的襯底升溫至600-900℃,然后以50-100℃/min的速率快速降溫至室溫,使襯底破碎。
9.根據權利要求1所述的螺旋狀超長金屬線/帶的制備方法,其特征在于,步驟6)中,除去襯底的具體操作為:將步驟5)處理后的襯底放置在耐酸的絲網上,置于弱酸中腐蝕掉襯底。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





