[發明專利]掩膜版及其制作方法

有效

• 申請號: 201810415666.1
• 申請日: 2018-05-03
• 公開（公告）號: CN108624841B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 劉孟彬;羅海龍
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種掩膜版的制作方法，所述掩膜版應用于蒸鍍工藝，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括第一表面以及與所述第一表面相背的第二表面；

在所述第一表面上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成掩膜材料層；

圖形化所述掩膜材料層，形成圖形區以及與所述圖形區相鄰的遮擋區，在所述圖形區形成至少一個貫穿所述掩膜材料層的通孔，且圖形化后的剩余掩膜材料層作為掩膜圖形層；

形成所述掩膜圖形層后，在所述通孔中形成填充層，所述填充層頂部與所述掩膜圖形層頂部齊平；

形成覆蓋所述掩膜圖形層和填充層的保護膜；

圖形化所述保護膜，去除所述圖形區掩膜圖形層和填充層上的保護膜，保留所述遮擋區掩膜圖形層上的保護膜作為保護層；

形成所述掩膜圖形層后，刻蝕所述襯底的第二表面，在所述襯底內形成貫穿所述襯底且露出所述圖形區的多個開口，且每一開口與所述圖形區相對應；

形成所述開口后，以所述襯底為掩膜，去除所述圖形區的犧牲層。

2.如權利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，在所述犧牲層上形成掩膜材料層之前，在所述犧牲層上形成金屬膜；

形成所述掩膜圖形層后，刻蝕所述襯底的第二表面之前，刻蝕所述通孔底部的金屬膜，保留所述掩膜圖形層和所述犧牲層之間的金屬膜作為金屬層；

或者，

形成所述掩膜圖形層后，刻蝕所述襯底的第二表面之前，在所述掩膜圖形層頂部、所述通孔側壁和底部形成金屬膜；刻蝕所述通孔底部的金屬膜，保留所述掩膜圖形層頂部和通孔側壁的金屬膜作為金屬層；

或者，

形成所述犧牲層后，在所述犧牲層上形成掩膜材料層之前，在所述犧牲層上形成第一金屬膜；

在所述犧牲層上形成掩膜材料層后，形成所述掩膜圖形層之前，在所述掩膜材料層上形成第二金屬膜；刻蝕所述第二金屬膜，露出所述通孔所對應區域的掩膜材料層；

形成所述掩膜圖形層后，刻蝕所述襯底的第二表面之前，刻蝕所述通孔底部的第一金屬膜，刻蝕后的剩余第一金屬膜和剩余第二金屬膜作為金屬層。

3.如權利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，在所述犧牲層上形成掩膜材料層后，圖形化所述掩膜材料層之前，還包括：在所述掩膜材料層上形成保護膜；

圖形化所述保護膜，去除所述圖形區掩膜材料層上的保護膜，保留所述遮擋區掩膜材料層上的保護膜作為保護層。

4.如權利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述掩膜圖形層的材料為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、多晶硅或鋁。

5.如權利要求2所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述金屬層的材料為Ni、Ag、Au、Cu、Pt、Cr、Mo、Ti、Ta、Sn、W和Al中的一種或多種。

6.如權利要求1或3所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述保護層的材料為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、多晶硅或鋁。

7.如權利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為氧化硅、氮化硅、非晶碳或鍺。

8.如權利要求1或7所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，去除所述圖形區的犧牲層的工藝為濕法刻蝕工藝或灰化工藝。

9.如權利要求1所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底、鍺襯底、鍺化硅襯底、碳化硅襯底、砷化鎵襯底、鎵化銦襯底、絕緣體上的硅襯底或絕緣體上的鍺襯底。