[發明專利]一種冷軋薄板用超純凈奧氏體不銹鋼的夾雜物控制方法

在審

• 申請號: 201810414660.2
• 申請日: 2018-05-03
• 公開（公告）號: CN108559818A
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 李建民;郎煒昀;翟俊
• 申請（專利權）人: 山西太鋼不銹鋼股份有限公司
• 主分類號: C21C7/06
• 分類號: C21C7/06
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101
• 代理人: 申艷玲

本發明公開了一種冷軋薄板用超純凈奧氏體不銹鋼的夾雜物控制方法，該制備方法包括以下步驟：Ⅰ.在AOD爐中對不銹鋼母液行脫碳吹煉、硅鐵還原和預脫氧，然后調整爐渣堿度至1.8以上；Ⅱ.出鋼后對鋼包渣進行扒渣處理；Ⅲ.LF爐進行精煉處理；Ⅳ.連鑄澆鑄成連鑄坯；Ⅴ.連鑄坯再經過熱軋、冷軋后得到的不銹鋼板。本發明采用鋁深脫氧，全氧含量低于20ppm；由于夾雜物數量少，制得的不銹鋼耐鹽霧腐蝕能力強；按照本發明制得的不銹鋼中夾雜物類型主要為細小的鎂鋁尖晶石，軋制過程中不會延伸，不會在冷板表面形成缺陷。

技術領域

本發明涉及超純凈不銹鋼的脫氧及夾雜物控制工藝，具體涉及一種冷軋薄板用超純凈奧氏體不銹鋼的夾雜物控制方法，屬于不銹鋼精煉技術領域，。

背景技術

由于不銹鋼具有耐蝕、美觀、易加工等特點，目前正被廣泛應用到裝飾材料、品牌標志、電子產品外殼等制造領域。隨著時代的發展，這些領域對不銹鋼冷軋薄板需求量越來越大，要求也越來越嚴苛。例如，某些特殊行業要求不銹鋼在軋制成0.5mm以下的冷薄板不僅無缺陷，而且保持良好的耐蝕性；另外，也有某些行業要求不銹鋼達到8K以上級別的拋光性能。而其中影響不銹鋼這些性能的主要因素就是鋼中夾雜物。

目前大多數奧氏體不銹鋼冶煉工藝采用Si脫氧，一方面全氧含量相對較高，夾雜物數量多，由于夾雜物常常是不銹鋼點蝕缺陷的誘發因素，因此夾雜物數量多容易引起冷板的鹽霧腐蝕檢測不合格。另一方面，夾雜物類型主要為硅鋁酸鈣夾雜，鑄坯夾雜物初始尺寸較大，最大尺寸達到20μm以上，而且易于變形，軋制成冷薄板后變為大尺寸B類或C類夾雜，在不銹鋼薄帶表面顯現形成缺陷；另外，這些夾雜物也是不銹鋼拋光缺陷的重要來源。因此，常規工藝下不銹鋼的純凈度無法滿足這些領域的要求。

中國專利申請號201210507674.1和200310113018.4公開了高純凈不銹鋼的制備方法，通過控制脫硫工藝和造渣工藝，防止了高熔點夾雜物的生成。但這種工藝下AOD爐渣堿度低于1.8，夾雜物雖為塑形夾雜，但由于在低堿度渣系下平衡氧含量高，鋼中夾雜物數量多，夾雜物附近容易形成點蝕坑，因此，這種方法制得的不銹鋼冷板表面耐蝕性較差。

中國專利申請號201611119996.3公開了高純度冷軋薄板用奧氏體不銹鋼及其生產方法，通過控制冶煉工藝，減少了因夾雜物造成的剝皮缺陷，但該方法采用的是硅脫氧工藝。

中國專利申請號201110342002.5公開了一種電子產品殼體不銹鋼薄帶的制造方法，強調了控制鋁含量來減少夾雜物，但具體的夾雜物控制工藝、夾雜物控制效果未做詳述。

發明內容

本發明旨在提供一種冷軋薄板用超純凈奧氏體不銹鋼的夾雜物控制方法，該方法通過AOD硅脫氧、LF加鋁深脫氧、調渣以及夾雜物變性獲得全氧含量低于15ppm、夾雜物尺寸小于10μm的不銹鋼鑄坯，而且由此軋制的不銹鋼冷板表面質量及耐蝕性滿足冷軋薄帶要求。

本工藝采用AOD 硅脫氧+LF鋁深脫氧方法，鋁含量控制在0.04~0.08%，并進行微鈣處理，夾雜物主要為鈣鋁酸鹽包裹鎂鋁尖晶石，鑄坯夾雜物尺寸小于15μm，軋制過程不易變形，0.8mm厚度的不銹鋼冷板夾雜物評級在B0.5 D0.5以下（表示含有B類和D類兩種夾雜）；而且渣系平衡的氧含量低，低于15ppm；延長了夾雜物上浮去除時間，夾雜物數量少。雖然鎂鋁尖晶石夾雜物被認為更容易導致冷板Sliver缺陷，拋光過程中也容易形成凹坑，但是僅限于大于10μm的夾雜。由于本發明所述的不銹鋼中夾雜物尺寸小于10μm，基本上對冷板軋制或拋光性能沒有影響。而且由于全氧含量低，夾雜物數量少，不銹鋼產品耐蝕性優于現有技術。

本發明提供了一種冷軋薄板用超純凈奧氏體不銹鋼的制備方法，該制備方法包括以下步驟：Ⅰ 在AOD爐中對不銹鋼母液行脫碳吹煉、硅鐵還原，然后調整爐渣堿度至1.8以上；Ⅱ 出鋼后對鋼包渣進行扒渣處理；Ⅲ LF爐進行鋁深脫氧精煉處理；Ⅳ 連鑄澆鑄成連鑄坯；Ⅴ 連鑄坯再經過熱軋、冷軋后得到不銹鋼板。